漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4A |
栅源极阈值电压 | 1.3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 4A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.4W | 类型 | P沟道 |
AO3481 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),专为各种电子应用提供高效的开关和电流控制。该器件在设计上以其优秀的电气特性和可靠性,为现代电子设备提供优质的解决方案。其关键参数使其适用于多个领域,包括电池管理、LED 驱动、以及其他需要高效能开关控制的电路。
漏源电压 (Vdss): 30V
连续漏极电流 (Id): 4A (25°C 时)
栅源极阈值电压: 1.3V @ 250μA
漏源导通电阻: 50mΩ @ 4A, 10V
最大功率耗散: 1.4W (Ta=25°C)
封装类型: SOT-23
AO3481 的卓越性能使其适用于多个领域:
AO3481 以其低导通电阻和相对较高的额定电流,相较于其他同类竞争产品具有明显优势。通过降低功耗和发热,AO3481 有效提升了设备的整体性能和使用寿命。此外,其P沟道的设计方式使其适合特定的电路布局,特别是在需要正电压驱动的应用场景下。
AO3481 在现代电子设计中提供了一种高效、可靠的 P 沟道 MOSFET 解决方案。凭借其优秀的电气参数和多样化的应用场景,AO3481 适合各种消费电子产品、驾驶电路和其他电源管理应用。无论是在设计新产品,还是在优化现有电路,AO3481 都是一个非常值得考虑的选择。随着技术的发展与市场需求的多样化,AO3481 将在电子行业继续发挥重要作用。