AO3481 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO3481

商品编码: BM0000279589
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
3(起订量1,增量1)
批次 :
18+
数量 :
X
0.504
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.504
--
200+
¥0.325
--
1500+
¥0.283
--
3000+
¥0.25
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO3481参数

漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A
栅源极阈值电压1.3V @ 250uA漏源导通电阻50mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W类型P沟道

AO3481手册

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AO3481概述

AO3481 产品概述

概述

AO3481 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),专为各种电子应用提供高效的开关和电流控制。该器件在设计上以其优秀的电气特性和可靠性,为现代电子设备提供优质的解决方案。其关键参数使其适用于多个领域,包括电池管理、LED 驱动、以及其他需要高效能开关控制的电路。

关键参数

  1. 漏源电压 (Vdss): 30V

    • AO3481 可在30V的高压应用中稳定工作,适合用于各种电源管理和控制电路。
  2. 连续漏极电流 (Id): 4A (25°C 时)

    • 在25°C的环境温度下,此器件能够连续承载4A电流,因而非常适合对高电流需求的电路设计。
  3. 栅源极阈值电压: 1.3V @ 250μA

    • 该器件具有相对低的栅源阈值电压,此特性使其在低电压驱动下仍能有效开启,为低功耗电路提供良好支持。
  4. 漏源导通电阻: 50mΩ @ 4A, 10V

    • 低导通电阻不仅减少了功率损失,还降低了热量的产生,从而增强了整体系统的效率。
  5. 最大功率耗散: 1.4W (Ta=25°C)

    • AO3481在额定条件下的功率耗散能达到1.4W,适应于多种运行环境。
  6. 封装类型: SOT-23

    • SOT-23 封装小巧,方便电子设计师在较小的电路板上实现更高的集成度,适合现代电子产品日益紧凑的设计需求。

应用场景

AO3481 的卓越性能使其适用于多个领域:

  • 电池管理系统: 在锂离子电池或其他小型电池的保护电路中应用,以实现高效率的开关控制。
  • LED 驱动: AO3481 可用于驱动高亮度LED,为照明设备提供稳定的电流,以保证光效和使用寿命。
  • DC-DC 转换器: 在降压转换和升压转换应用中,AO3481 可用作开关元件,提高电流控制的效率。
  • 消费电子: 适合智能手机、平板电脑等便携式设备中,用于功率管理和负载开关控制。

竞争优势

AO3481 以其低导通电阻和相对较高的额定电流,相较于其他同类竞争产品具有明显优势。通过降低功耗和发热,AO3481 有效提升了设备的整体性能和使用寿命。此外,其P沟道的设计方式使其适合特定的电路布局,特别是在需要正电压驱动的应用场景下。

结论

AO3481 在现代电子设计中提供了一种高效、可靠的 P 沟道 MOSFET 解决方案。凭借其优秀的电气参数和多样化的应用场景,AO3481 适合各种消费电子产品、驾驶电路和其他电源管理应用。无论是在设计新产品,还是在优化现有电路,AO3481 都是一个非常值得考虑的选择。随着技术的发展与市场需求的多样化,AO3481 将在电子行业继续发挥重要作用。