封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 | 晶体管类型 | NPN |
电压-集射极击穿(最大值) | 230V | 集电极电流Ic(最大值) | 15A |
电流放大倍数hFE(最小值) | 80@1A,5V | 功率(最大值) | 150W |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔(THT) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 15A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 230V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 3V @ 800mA,8A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 5µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 1A,5V | 功率 - 最大值 | 150W |
频率 - 跃迁 | 30MHz | 供应商器件封装 | TO-3P(N) |
2SC5200N(S1,E,S) 是一款由东芝(TOSHIBA)生产的高功率NPN晶体管,广泛用于高频开关应用和音频放大器等领域。它以其优异的电气特性和出色的热管理能力,成为电源和音频放大电路设计的理想选择。该器件的设计旨在提供高效能和可靠性,满足现代电子设备对功率与效率的严格要求。
封装类型:2SC5200N(S1,E,S) 采用TO-3P-3和SC-65-3两种封装类型,适用于通孔(THT)安装。这种封装方式有助于提高散热性能,增强器件的稳定性和可靠性。
电气特性:
因其出色的功率处理能力和电气特性,2SC5200N(S1,E,S) 在多个领域都展现出广泛的应用潜力:
总体而言,2SC5200N(S1,E,S) 是一款高性能NPN晶体管,其卓越的电气特性、可靠的工作温度范围和高功率处理能力,使其成为广泛应用于电子设计和工程的优选器件。无论是在音频放大、开关电源,还是在高功率电机驱动领域,这款晶体管都提供了极高的性能保障。使用此产品的设计师可以在确保性能的同时,优化其设计方案,从而实现更高的质量和效率。