2SC5200N(S1,E,S) 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

2SC5200N(S1,E,S)

商品编码: BM0000279533
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
TO-3P-3,SC-65-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
Power transistor for high-speed switching applications
库存 :
1(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
5.27
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.27
--
100+
¥4.21
--
1000+
¥3.9
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SC5200N(S1,E,S)参数

封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3晶体管类型NPN
电压-集射极击穿(最大值)230V集电极电流Ic(最大值)15A
电流放大倍数hFE(最小值)80@1A,5V功率(最大值)150W
工作温度150°C(TJ)安装类型通孔(THT)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)15A电压 - 集射极击穿(最大值)230V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)3V @ 800mA,8A电流 - 集电极截止(最大值)5µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 1A,5V功率 - 最大值150W
频率 - 跃迁30MHz供应商器件封装TO-3P(N)

2SC5200N(S1,E,S)手册

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2SC5200N(S1,E,S)概述

2SC5200N(S1,E,S) 产品概述

概述

2SC5200N(S1,E,S) 是一款由东芝(TOSHIBA)生产的高功率NPN晶体管,广泛用于高频开关应用和音频放大器等领域。它以其优异的电气特性和出色的热管理能力,成为电源和音频放大电路设计的理想选择。该器件的设计旨在提供高效能和可靠性,满足现代电子设备对功率与效率的严格要求。

主要特性

  • 封装类型:2SC5200N(S1,E,S) 采用TO-3P-3和SC-65-3两种封装类型,适用于通孔(THT)安装。这种封装方式有助于提高散热性能,增强器件的稳定性和可靠性。

  • 电气特性

    • 集射极击穿电压(Vceo):该晶体管的最大集射极击穿电压达到230V,使其在高电压应用中非常可靠。
    • 最大集电极电流(Ic):2SC5200N的最大集电极电流为15A,这意味着它可以承载较大的电流,适合推动高功率负载。
    • 功率处理能力:其最大功率可达到150W,使其能够在高功率应用中表现出色,尤其是在音频放大器中。
    • 电流增益(hFE):在特定条件下(1A,5V),hFE的最小值为80,确保了良好的放大性能,适合用于音频和开关电路。
    • 饱和压降(Vce(sat)):当集电极电流为800mA和8A时,Vce饱和压降最大值为3V,这一特性将有助于降低功率损耗,提高整体效率。
    • 截止电流(ICBO):集电极截止电流的最大值为5µA,这意味着在关态时能有效减少漏电流,提升电路的整体效率。

工作环境

  • 工作温度:2SC5200N设计的工作温度范围为-55°C至150°C,具备出色的耐热能力,使其能够在恶劣的工作环境中稳定运行。
  • 频率特性:该器件具有30MHz的跃迁频率,使其适用于要求快速开关的高频应用。

应用领域

因其出色的功率处理能力和电气特性,2SC5200N(S1,E,S) 在多个领域都展现出广泛的应用潜力:

  • 音频放大器:适用于高保真音频放大器和音响设备,能够提供高功率输出,同时保持音质清晰。
  • 开关电源:在开关电源中使用,能够高效地管理电能,有助于提升整体系统的效率和稳定性。
  • 电机驱动:适合用于电机驱动应用,可以控制高功率电机的运行,提升工业机器和自动化设备的性能。

结论

总体而言,2SC5200N(S1,E,S) 是一款高性能NPN晶体管,其卓越的电气特性、可靠的工作温度范围和高功率处理能力,使其成为广泛应用于电子设计和工程的优选器件。无论是在音频放大、开关电源,还是在高功率电机驱动领域,这款晶体管都提供了极高的性能保障。使用此产品的设计师可以在确保性能的同时,优化其设计方案,从而实现更高的质量和效率。