额定功率 | 150mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 120V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 120V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 350 @ 2mA,6V | 功率 - 最大值 | 150mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 125°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | S-Mini |
2SA1312-BL(TE85L,F)是一款由东芝(TOSHIBA)生产的高性能PNP型晶体管(BJT),适用于多种电子电路中的信号放大和开关应用。其设计旨在满足高效能和高可靠性要求,特别适合用于低功耗和高频率的信号处理。
2SA1312-BL(TE85L,F)广泛应用于:
作为东芝推出的一款高品质PNP型晶体管,2SA1312-BL (TE85L,F) 在中低功耗电子产品中占据重要的市场份额。由于其出色的电气特性和优势封装设计,它广泛被用于便携式设备、通信设备、消费电子产品等领域。
2SA1312-BL(TE85L,F)晶体管结合了高电流承载能力、良好的频率特性和可靠的工作温度范围,使其成为各种电子电路设计的重要选择。无论是用于音频信号放大、开关控制或射频应用,它都展现出了高度的兼容性和卓越的性能,是现代电子产品所需的理想组件之一。借助东芝的品牌实力和产品质量,2SA1312的使用将为电子设计师提供更加稳健和高效的解决方案。