2SA1312-BL(TE85L,F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

2SA1312-BL(TE85L,F

商品编码: BM0000279530
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
6.32g
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 120V 100mA PNP SC-59
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.45
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.45
--
100+
¥1.11
--
750+
¥0.925
--
1500+
¥0.841
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SA1312-BL(TE85L,F参数

额定功率150mW集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce120V晶体管类型PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)120V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 1mA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)350 @ 2mA,6V功率 - 最大值150mW
频率 - 跃迁100MHz工作温度125°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装S-Mini

2SA1312-BL(TE85L,F手册

2SA1312-BL(TE85L,F概述

产品概述:2SA1312-BL(TE85L,F)

一、基本信息

2SA1312-BL(TE85L,F)是一款由东芝(TOSHIBA)生产的高性能PNP型晶体管(BJT),适用于多种电子电路中的信号放大和开关应用。其设计旨在满足高效能和高可靠性要求,特别适合用于低功耗和高频率的信号处理。

二、主要参数

  • 额定功率: 150mW
  • 集电极电流 (Ic): 最大值100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大值120V
  • 饱和压降: 在1mA和10mA的集电极电流下,Vce饱和压降最大为300mV
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大值100nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值350,测量条件为2mA电流及6V电压
  • 频率特性: 可支持最高100MHz的跃迁频率
  • 工作温度范围: -55°C至125°C的工作温度(TJ)

三、封装规格

  • 类型: 表面贴装型(SMD)
  • 封装外形: SOT-23,通常被应用于轻小型设备中,提供便捷的安装方式,同时具有优异的热管理性能。

四、应用场景

2SA1312-BL(TE85L,F)广泛应用于:

  1. 音频信号放大: 由于其高增益特性,非常适合音频信号的放大电路。
  2. 开关电路: 其高达100mA的集电极电流使其能够驱动相关负载,非常适合数字开关应用。
  3. 射频应用: 在高频电路中(如无线通信等),该晶体管的100MHz跃迁频率是非常具优势的特性。
  4. 逻辑电路: 作为互补输出的PNP型晶体管,在逻辑电路中与NPN型晶体管配合使用,实现逻辑信号切换和处理。

五、性能优势

  1. 高集电极电流: 最高100mA的集电极电流使其适合驱动多种应用,包括微电机和小型继电器。
  2. 良好的频率响应: 最高频率支持达到100MHz,满足现代电子产品的高频要求。
  3. 低功耗表现: 在150mW的额定功率范围内,表现出色,适合能量敏感的应用。
  4. 高电流增益: 最小350的DC电流增益使得其在信号放大中展现了优良的性能,能够有效提高电路效率。

六、市场定位

作为东芝推出的一款高品质PNP型晶体管,2SA1312-BL (TE85L,F) 在中低功耗电子产品中占据重要的市场份额。由于其出色的电气特性和优势封装设计,它广泛被用于便携式设备、通信设备、消费电子产品等领域。

七、总结

2SA1312-BL(TE85L,F)晶体管结合了高电流承载能力、良好的频率特性和可靠的工作温度范围,使其成为各种电子电路设计的重要选择。无论是用于音频信号放大、开关控制或射频应用,它都展现出了高度的兼容性和卓越的性能,是现代电子产品所需的理想组件之一。借助东芝的品牌实力和产品质量,2SA1312的使用将为电子设计师提供更加稳健和高效的解决方案。