2N7002P,215
2N7002P,215参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 360mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.6Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | N沟道 |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | FET 类型 | N 通道 |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 360mA（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .8nC @ 4.5V |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
2N7002P,215手册
2N7002P,215概述
产品概述：2N7002P,215 N沟道MOSFET
概述
2N7002P,215是由安世半导体（Nexperia）生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计旨在提供理想的电源开关解决方案。这款器件在小型封装中集成了多个性能优势，适用于各种电子应用，如低功耗开关、负载驱动、功率管理等。
基本参数
2N7002P,215的主要电气特性包括：
- 漏源电压（Vdss）：60V，适用于大多数常见的电源电路。
- 连续漏极电流（Id）：在环境温度25°C下可达到360mA，这使得该MOSFET在各种中小功率应用中表现出色。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：2.4V @ 250µA，提供了合理的驱动电压，确保高效开关控制。
- 漏源导通电阻（Rds On）：仅为1.6Ω @ 500mA，10V，特别适合需要低导通损耗的应用。
功率及温度特性
该器件的最大功率耗散为350mW（在25°C下），在高温环境中依旧能够保持稳定。然而，其工作温度范围广泛，从-55°C到 150°C（TJ），使其适用于严苛的环境条件下的电子设备。
驱动特性
为了确保MOSFET的高效性能，2N7002P,215具有较低的栅极电荷（Qg），在4.5V时为0.8nC，这使得驱动电路在开关时更加高效，减少能量损耗。此外，其输入电容（Ciss）在10V下的最大值为50pF，这提供了快速的开关响应，能有效处理频繁的开关操作。
应用场景
2N7002P,215适合用于多种应用场景，包括但不限于：
低功耗开关：该MOSFET非常适合用于低功耗电子设备中的开关应用，如LED驱动电路、传感器负载等。
电源管理：可以在电源管理电路中充当开关、整流器和电流限制器，帮助提高系统的整体效率。
马达控制：适用于小功率直流电机的控制和调节，提供了平稳且高效的操作性能。
自动化设备：在自动化系统和家居智能设备中作为负载切换元件，被广泛应用于控制继电器和其他电子开关。
封装与安装
产品采用TO-236AB（亦称为SOT-23-3）的封装方式，这种紧凑型表面贴装封装不仅节省了PCB空间，也便于自动化焊接，提升了生产效率。其标准化的封装形式使得2N7002P,215易于与其他电子元件整合。
总结
总的来说，2N7002P,215是一款高性能、高效率的N沟道MOSFET，其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，使其在电子设计中极具吸引力。无论是用于功率开关、低功耗应用，还是电源管理和电机控制，2N7002P,215都能够提供可靠的性能和卓越的灵活性，适合广泛的应用领域。无论是在工业、汽车还是消费电子中，2N7002P,215都将成为设计师的理想选择。