AOD403 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOD403

商品编码: BM0000279422
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO-252
包装 : 
编带
重量 : 
0.483g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;90W 30V 15A;70A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
23482(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.9
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.9
--
100+
¥1.46
--
1250+
¥1.28
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD403参数

漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)15A
栅源极阈值电压3.5V @ 250uA漏源导通电阻6mΩ @ 20A,20V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W类型P沟道

AOD403手册

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AOD403概述

AOD403 产品概述

AOD403是一款高性能的P沟道MOSFET,广泛应用于各种电子应用场景,尤其是在电源管理和功率调节中。其卓越的电气特性和设计适应性使其成为许多电子设备设计师的理想选择。

基础参数

AOD403的漏源电压(Vdss)为30V,这意味着它能够在高达30V的电压条件下安全工作,适合多种中低压应用。其连续漏极电流(Id)在25°C环境下可达15A,这确保了在正常工作条件下其充足的承载能力,使设备在高负载条件下自如运行。另外,AOD403在高温条件下的性能也值得关注,其漏极电流表现相对稳定,能够满足用户的高功率需求。

导通电阻

该MOSFET的漏源导通电阻为6mΩ,接近于无源状态,这意味着在工作时能有效降低能量损耗,从而提高整体效率。当电流达到20A,电压为20V时,这一低导通电阻特性尤为突出,能够显著减小热量的产生,这对于需要高效散热的产品来说至关重要。

栅源极阈值电压

AOD403具有较低的栅源极阈值电压,仅有3.5V @ 250μA,意味着其驱动电压要求较低,能够与多种逻辑电平兼容,这为设计者提供了极大的灵活性。在实际应用中,较低的阈值电压意味着在较低驱动电压下,MOSFET可以迅速导通,从而提升了电路响应速度。

功率耗散

在环境温度为25°C时,AOD403的最大功率耗散为2.5W。这一数据表明,在一定的工作条件下,该元件能够有效分散产生的热量,减少过热造成的损坏风险。对设计者而言,了解其功率损耗特性能够帮助其在产品设计阶段做出更合理的热管理决策。

封装与应用

AOD403采用了TO-252封装(又称DPAK),这种封装方式不仅可以提供较好的散热性能,还便于自动化生产和组装。该封装形式也能够适应于较高电流下的应用。由于其良好的散热能力和合理的体积,AOD403适合于便携设备、汽车电子及电源转换器等领域。

应用场景

凭借其出色的电气性能,AOD403可广泛应用于以下几个方面:

  1. 电源管理: 适合用于DC-DC转换器、稳压电源及各种电源管理模块,能够提供稳定的电源输出。
  2. 电机驱动: 在电机控制电路中,可以有效地控制电机的启动、停止和速度调节。
  3. 开关电源: 在开关电源设计中,AOD403能够有效地控制电源的开关动作,提升整体能效。
  4. 照明控制: 适用于LED驱动和其它照明控制系统中,可以实现高效的照明调节。

总结

AOD403作为一款优质的P沟道MOSFET,以其卓越的电气特性、灵活的驱动要求和高效的热管理能力,在众多电子应用中展现出强大的性能和广泛的适用性。对于设计师而言,其综合特性使其成为电源管理、开关电源、汽车电子及电机驱动等领域的一项非常值得信赖的选择。选择AOD403,能够帮助您在设计中实现更高的性能和更低的能耗,为您的产品增添竞争优势。