安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3 毫欧 @ 20A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A(Ta),70A(Tc) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4300pF @ 20V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 功率耗散(最大值) | 2.7W(Ta),150W(Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
AOD240 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,专为现代电子设备中的高效开关应用而设计。该元器件采用表面贴装型 TO-252 封装,满足了紧凑以及高可靠性设计的需求,适合在广泛的应用环境中使用,如电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动、LED 驱动等。
导通电阻: AOD240 的导通电阻(Rds On)在 Vgs 为 10V、Id 为 20A 的条件下最大可达 3 毫欧。这一特性使得其在流经较大电流时损耗极小,大幅提高系统的能效。
电流承载能力: 该 MOSFET 在 25°C 的环境温度下能够支持最大 23A 的连续漏极电流 (Id),在较高的散热条件下(Tc=25°C),可承受高达 70A 的电流,显示出其出色的散热性能及电流能力。
工作电压: AOD240 的漏源电压 Vdss 最大可达到 40V,为高电压操作提供了宝贵的灵活性,让其在多种电力应用中表现优异。
驱动电压: 此器件的驱动电压范围为 4.5V 至 10V,确保了在不同工作条件下的可靠开关,能够满足广泛的驱动需求。
输入电容: 在 Vds 为 20V 的条件下,AOD240 的输入电容 (Ciss) 最大可达 4300pF。这使得其响应速度快,提高了开关频率,有利于高频应用。
栅极电荷: 在 Vgs=10V 的条件下,该器件栅极电荷最大为 60nC。这一参数对于 MOSFET 的驱动信号的设计非常重要,较低的栅极电荷可以使驱动电路更简单,并减少功耗。
阈值电压: AOD240 的 Vgs(th) 在 250µA 电流下最大可达到 2.2V,保证器件在较低电压下也能有效开启。
温度范围: 基于其特殊设计,AOD240 可在-55°C 到175°C 的宽广温度范围内稳定工作,适合严格的工作环境,尤其是在高温或严寒条件下。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散能力在环境温度 (Ta) 下为 2.7W,在结温条件 (Tc) 下为 150W,表明其出色的热管理能力,能有效防止过热导致的失效。
AOD240 MOSFET 因其卓越的电气特性,广泛应用于多个领域,包括:
AOD240 MOSFET 是一款优秀的 N 沟道 策划元件,以其优异的电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,适用于各类高效能电子产品。它提供了理想的解决方案以满足现代电子设备在性能与可靠性上的双重要求,确保产品在复杂环境下的稳定性与安全性。选择 AOD240,将为您的设计增添强大的性能支持。