AO6604 产品实物图片
AO6604 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO6604

商品编码: BM0000279417
品牌 : 
AOS
封装 : 
TSOP-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.037g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1个N沟道+1个P沟道 TSOP-6-1.5mm
库存 :
79(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.904
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.904
--
200+
¥0.624
--
1500+
¥0.567
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO6604参数

漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.4A,2.5A
栅源极阈值电压1V @ 250uA漏源导通电阻60mΩ @ 3.4A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.1W类型N沟道和P沟道

AO6604手册

empty-page
无数据

AO6604概述

AO6604 产品概述

AO6604 是一款高性能的双极场效应管(MOSFET),包括一个 N 沟道和一个 P 沟道,采用紧凑的 TSOP-6 封装,适用于多种电子应用。该产品由 AOS 生产,其设计旨在满足高效能和低功耗的现代电子设备需求,非常适合相对较小的电源管理和信号处理电路。

主要规格

  • 漏源电压(Vdss): 20V
    AO6604 提供的最大漏源电压为 20V,使其非常适合于低压驱动电路。相对较低的 Vdss 值保证了 IC 在大多数低功耗应用中的高效能,同时也保护器件免受意外电压浪涌的损害。

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时): 3.4A (N 沟道) 和 2.5A (P 沟道)
    在 25°C 时,该 MOSFET 的连续漏极电流值分别为 3.4A 和 2.5A。这样的电流处理能力使其可以广泛应用于电源开关、直流-直流转换器和电机驱动等应用。

  • 栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
    AO6604 的栅源电压阈值低至 1V,意味着其可以在相对较低的栅电压下驱动工作。这使得其在低电压控制场合中表现出色,并有助于降低整体电能消耗。

  • 漏源导通电阻: 60mΩ @ 3.4A, 4.5V
    低导通电阻(Rds(on))可减少功耗并提高电路效率。在 4.5V 的驱动电压下,60mΩ 的导通电阻使得 AO6604 在高电流应用中表现出色,尤其是在电源管理和负载开关中。

  • 最大功率耗散(Ta=25°C): 1.1W
    AO6604 的最大功率耗散为 1.1W,确保在25°C的环境温度下长期稳定工作。这一功率等级使其在较为严苛的工作条件下依然可靠,并能够处理较大的功率负载而不致过热。

封装和尺寸

AO6604 采用 TSOP-6 封装,尺寸为 1.5mm,具有较小的占地面积。这种小巧的封装设计极具适应性,适合应用于空间受限的电路板上。其尺寸设计同时也提高了散热性能,有助于器件在高温环境中正常运行。

应用场景

AO6604 的设计目标是为现代电子设备提供最佳性能和效率。其广泛的应用场景包括但不限于:

  1. 电源管理: 适用于 AC-DC、DC-DC 转换器和其他电源管理系统,可以有效控制电源质量和效率。
  2. 负载开关: 在消费电子、通信设备和家用电器等产品中,实现对各种负载的开关控制。
  3. 马达驱动: 适用于直流电动机控制,使用户能够实现高效能的电机驱动解决方案。
  4. 信号放大: 在信号处理电路中,使用 AO6604 作为信号放大器,具有良好的线性特性。

结论

总之,AO6604 是一款高效、低功耗的 MOSFET 解决方案,在众多电源管理及负载开关应用中表现出色。其小巧的 TSOP-6 封装、优秀的电流处理能力,以及低导通电阻,均使得 AO6604 成为设计工程师的首选,不仅能够提升系统的整体性能,同时也是实现高效能设计的理想选择。随着电子产品对节能和性能的不断要求,AO6604 作为 AOS 的高性价比产品,必将为各种应用提供优秀的解决方案。