AO6404 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO6404

商品编码: BM0000279416
品牌 : 
AOS
封装 : 
TSOP-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.04g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 20V 8.6A 1个N沟道 TSOP-6-1.5mm
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.42
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.42
--
100+
¥1.09
--
750+
¥0.911
--
1500+
¥0.828
--
3000+
¥0.76
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO6404参数

漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)8.6A
栅源极阈值电压1V @ 250uA漏源导通电阻17mΩ @ 8.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W类型N沟道

AO6404手册

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AO6404概述

AO6404 产品概述

产品简介
AO6404是一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足高效能和高可靠性电子电路中的多种应用需求。该元器件采用了先进的半导体技术,展现出优异的电气特性和热稳定性,广泛应用于电源管理、开关电路、直流-直流转换器和其他需要高开关频率和低导通损耗的场合。

主要参数

  • 漏源电压(Vdss): 20V
    AO6404的最大漏源电压为20V,适用于低至中电压的应用场景,能够承受一定的负载波动而不发生击穿失效。

  • 连续漏极电流(Id): 8.6A (25°C时)
    在理想的工作条件下,AO6404可以支持高达8.6A的连续漏极电流,这使得它适合驱动较大负载的电路,能在高负载条件下保持稳定性。

  • 栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
    低阈值电压特性使得AO6404可以在较低的栅电压下迅速导通,有利于提高开关频率和降低功耗。

  • 漏源导通电阻: 17mΩ @ 8.5A, 10V
    该MOSFET的导通电阻非常低,只有17mΩ,这意味着在正常工作条件下,能有效减少电能损耗,提高系统效率。

  • 最大功率耗散: 2W (Ta=25°C)
    AO6404能够在环境温度为25°C的环境下,稳定处理高达2W的功率。这一特性使其在设计时能够考虑到良好的散热能力,以确保电路的安全性和可靠性。

封装与品质
AO6404以TSOP-6封装形式提供,这使得它在PCB布局上更加紧凑,适合空间有限的应用环境。TSOP-6封装还具有较好的热性能,有助于有效散发热量,降低元器件在工作中的温升,确保其在高频工作下的稳定性。

应用场景
AO6404适用于多种电子应用场景,包括但不限于:

  • 电源管理: 在不同的开关电源设备中,如AC-DC适配器和DC-DC转换器,AO6404能够有效控制电流和电压,确保电源的稳定和高效工作。

  • 电机驱动: 在电动机控制系统中,该MOSFET可用于实现高效的电流开关和速度控制,特别是在无刷直流电机(BLDC)驱动应用中,减少开关损失。

  • LED驱动: AO6404的低导通电阻和高开关频率使其成为LED照明应用中的理想选择,能有效提升LED灯具的效能和寿命。

  • 智能家居和物联网设备: 随着智能设备的普及,AO6404因其小型化和高效能的特性,广泛应用于各种家居自动化和物联网设备中,实现智能控制。

总结
AO6404是一款低导通电阻、高饱和电流和良好热性能的N沟道MOSFET,适用于电源管理、功率转换和各类控制应用。其出色的电气性能和稳定性赋予设计师更大的灵活性,在设计高效低损耗的电子设备时,AO6404无疑是一个优质的选择。无论是在消费者电子、工业自动化还是电动交通工具等领域,AO6404均表现出卓越的应用潜力,为现代电子设计提供了可靠的解决方案。