功率(Pd) | 1.3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@10V,6.2A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 600pF | 连续漏极电流(Id) | 6.2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
AO3480C 产品概述
一、基本信息
AO3480C是一款高效能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有1.3W的功率处理能力,耐压可达到30V,最大通道电流为6.2A。该器件采用SOT-23封装,适合多种紧凑型电路设计。作为先进的半导体元器件,AO3480C广泛应用于开关电源、负载驱动、电机控制和其他高效能电路之中。
二、封装与性能
AO3480C使用的SOT-23封装具有小型化、高效率的特点,使其特别适合空间受限的应用。SOT-23的三引脚配置简化了电路设计,且其卓越的散热性能可以有效降低器件热阻,确保稳定可靠的运行。
关于正向导通电阻(rDS(on)),AO3480C在最大通道电流下的表现相当突出,能够显著降低功耗,提高系统整体效率。这一点尤其重要,对于以高频率切换和低功耗为导向的应用来说,低导通电阻可以减少能量损耗,并提高系统的可靠性。
三、电气特性
电压和电流特点
AO3480C的最大漏源电压(Vds)可承受30V,这使其在高电压工作条件下依然能够保持良好的性能。同时,最大连续漏电流(Id)为6.2A,使其能够适应各类负载的驱动需求,这些特性使AO3480C可以广泛应用于各种高效能的开关电源和驱动模块中。
开关速度
AO3480C具备快速开关特性,能够在高频条件下稳定工作。其门极电容较小,使得门极驱动电路能够快速充电放电,从而实现高速开关。这一性能使其在高频开关电源、DC-DC转换器以及其他需要快速响应的电路中得到了广泛应用。
功耗
该MOSFET器件的功耗表现优异,即使在满载条件下,AO3480C也能维持较低的功耗,降低整体设计所需的散热处理,使得系统设计得以简化。
四、应用领域
AO3480C可适用于多种应用场景,包括但不限于:
开关电源:在AC-DC、DC-DC转换器中,AO3480C作为高效开关元件,能够提高电源的转换效率,降低能耗。
电机驱动:可用作H桥电路的一部分,实现对中小功率电机的高效控制,从而提高电动机驱动系统的性能。
高频开关电路:其快速开关特性使其非常适合在高频应用中使用,如RF放大器和无线电发射器中。
负载开关:可以用作各种负载控制应用中的开关元件,尤其是在需要低导通电阻和高开关速度的场合。
五、总结
AO3480C集高性能、高效率和紧凑型封装于一身,是现代电源管理与控制系统中不可或缺的元器件。无论是在开关电源、负载驱动还是其他高效电力电子应用中,其卓越的电气特性和稳健的工作性能都使其成为设计工程师的重要选择。借助AO3480C,设计师能够实现更高的能效和更简化的电路设计,从而推动电子产品向更高的技术水平发展。随着电子设备对功率效率和体积日益增长的需求,AO3480C无疑是一个理想的解决方案。