2N7002BK,215
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
TO-236AB
包装 :
编带
重量 :
0.024g
描述 :
场效应管(MOSFET) 370mW 60V 350mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
177275(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.487按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.487
--
200+
￥0.163
--
1500+
￥0.101
--
3000+
￥0.0699
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
2N7002BK,215参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 350mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.6Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 370mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .6nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 370mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
2N7002BK,215手册
2N7002BK,215概述
产品概述：2N7002BK,215 N通道MOSFET
基本资料 2N7002BK,215是一款高性能的N通道场效应晶体管(MOSFET)，其设计旨在满足各种电子设备的需求，特别是在开关和放大应用中的广泛应用。此器件具备出色的电气特性，能够在低功耗的同时提供高效能，是现代电子设计中理想的选择之一。
电气特性 该MOSFET的主要电气参数如下：
漏源电压（Vdss）：60V
- 该参数允许设备在较高的电压条件下工作，为多种应用提供了灵活性。
连续漏极电流（Id）：350mA @ 25°C
- 在常温下，该器件可以持续输出350mA的电流，适用于中等负载的驱动需求。
栅源阈值电压（Vgs(th)）：2.1V @ 250µA
- 此参数决定了MOSFET的开关控制能力，在较低的驱动电压下便可有效开关。
漏源导通电阻（Rds(on)）：1.6Ω @ 500mA, 10V
- 低导通电阻意味着在导通状态下的能量损耗十分小，有助于提高整体电路的效率。
最大功率耗散：370mW @ Ta=25°C
- 此项特性确保了在散热条件好的环境下，该MOSFET能够安全稳定运行。
工作温度范围：最高可达150°C
- 高工作温度范围使其适用于高温环境下的应用，增强了其在汽车和工业设备中的适用性。
输入电容（Ciss）：最大值50pF @ 10V
- 较低的输入电容可以减少驱动信号的延迟，提高开关速度。
栅极电荷（Qg）：0.6nC @ 4.5V
- 小的栅极电荷充电量确保所需的驱动功率较低，从而减少了设计复杂性。
封装与安装 2N7002BK,215采用TO-236AB（也称为SOT-23-3或SC-59）表面贴装封装。这种小型封装使得器件在现代电子设备中占用的空间非常小，对于空间受限的应用来说十分理想。其表面贴装格式简化了PCB设计和自动化组装工艺，能够提高生产效率并降低制造成本。
应用领域 该MOSFET适用于广泛的应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：可用于控制电源的开关状态，提供高效的功率转换。
- 音频放大器：以其出色的电流处理能力，作为小功率放大器的输出级器件。
- 低功耗无线通信设备：帮助提升信号的开关速度和传输效率。
- 电机驱动：在对于小型电机的控制和驱动方面表现出色，可以用于各种电机控制应用。
- LED驱动电路：可控制LED灯的开关与亮度调整。
总结 作为一款可靠可靠且功能强大的N通道MOSFET，2N7002BK,215为设计工程师提供了灵活的选择，能够在各种环境中提供出色的性能。无论是用于家庭电器、自动化设备还是LED照明系统，2N7002BK,215 都拥有出色的市场表现。Nexperia（安世）作为知名电子元器件制造商，确保此器件的质量和性能，满足客户在高速开关应用方面的严格要求。