封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 | FET类型 | N沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
安装类型 | 表面贴装(SMT) |
AOD514是一款高性能的N沟道功率场效应晶体管(FET),采用TO-252封装(D-Pak)设计,专为需要高效能和高密度集成电路的应用场景而研发。该器件最大漏源极电压(Vdss)为30V,漏电流可达17A(在环境温度下),而在控制散热情况下(贴合散热片),则可支持高达46A的漏电流。这种特性使AOD514在多种电源管理和开关电源应用中表现卓越。
AOD514的TO-252(D-Pak)封装设计,使其在表面贴装(SMT)应用中具有较小的占用空间和良好的散热性能。该封装不仅允许高密度组装,还提供了优良的电气性能,适合于现代小型化电子产品的需求。其良好的散热性质使得器件能够在高负载下稳定工作,确保系统的可靠性与稳定性。
AOD514因其卓越的电气特性和封装设计,广泛应用于各种电子电路和设备,包括但不限于:
AOD514的设计充分考虑了现代电源管理的要求,以确保器件在各种复杂环境下的高可靠性。其高电流承载能力和强大的散热性能使其在设计中更具灵活性,帮助工程师实现高密度、高效能的电子解决方案。同时,其宽广的工作电压范围和易于集成的特性,使得该产品在不同电气系统中的应用变得更加容易。
AOD514作为一款优质的N沟道功率场效应晶体管,在电气性能、封装设计和应用灵活性上具有显著优势。无论是用于高效的电源转换,还是在电气驱动中,其均能提供可靠且卓越的性能表现。通过合理应用AOD514,能够为现代电子系统设计提供更高效、更可靠的解决方案。