漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 6.9A |
栅源极阈值电压 | 1.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 27mΩ @ 6.9A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2W | 类型 | N沟道 |
AO4800是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),采用SOIC-8L封装,旨在满足中低功率开关和线性应用中的需求。这款MOSFET具有优异的电气特性,适合广泛的电子设备,包括但不限于开关电源、电机驱动、电信设备及其他需要高效率和可靠性的电路应用。
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 6.9A (25°C时)
栅源极阈值电压: 1.4V @ 250µA
漏源导通电阻: 27mΩ @ 6.9A,10V
最大功率耗散: 2W (Ta=25°C)
封装方式: SOIC-8L
由于AO4800的特性和参数使其非常适合多种应用场景,以下是一些典型的应用领域:
开关电源:
电机驱动:
LED驱动:
汽车电子:
分布式电源:
电信设备:
AO4800的设计遵循最新的半导体技术,其低导通电阻、高电流能力及宽工作温度范围使其在各个行业的竞争中占据了优势位置。在现代电子产品对高效率、高集成度和小型化设计的追求下,AO4800以其优异的综合性能,无疑为工程师提供了一个可靠的解决方案。
综上所述,AO4800凭借其强大的基本电气参数和广泛的应用潜力,成为了中低功率电子设计中的一个重要元器件。无论是在性能、可靠性还是在成本效益上,AO4800都展示出了无与伦比的优势,适合众多电子应用的需求。借助先进的封装技术和高效的设计理念,AO4800将为未来的电子产品创新提供强有力的支持。