功率(Pd) | 800mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V,4.3A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 23nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 720pF | 连续漏极电流(Id) | 4.3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@4.3A |
AO3481C是一款来自AOS(Advanced Onyx Semiconductor)的高性能P沟道场效应管(MOSFET),具有出色的电气特性和可靠性。其封装为SOT-23,体积小巧,适合应用于空间受限的电子设备中。AO3481C的额定功率为1.3W,最大电压为30V,最大连续电流为4.3A,能够满足多种常见电子电路的需求。
出色的导通电阻:AO3481C的导通电阻在开启状态时非常低,这意味着在工作时能够有效减少功率损耗和热量产生,提高系统的整体效率。
高稳定性和可靠性:作为P沟道MOSFET,AO3481C能够在高温、高电压等恶劣条件下稳定工作,确保产品的长期可靠性。
快速开关速度:该产品具备良好的开关特性,可以在高频率下快速响应,适用于诸如DC-DC转换器、开关电源等需要快速切换的电路。
小尺寸封装:SOT-23封装使得AO3481C在尺寸和重量上都有优势,适合各种便携式和紧凑型设备的设计需求。
AO3481C广泛应用于多种电子产品的电源管理和信号处理领域,主要包括但不限于:
开关电源:可以作为主开关元件,用于DC-DC变换器,从而实现高效的电能转换。
电池管理系统:在智能手机、平板电脑及其他便携设备中,用于实现高效的充电和放电管理,提高电池使用效率。
电机驱动:适用于小型电机的控制和驱动,提高动力输出的效率。
LED驱动电路:能够有效控制LED的开启和关闭,实现良好的亮度调节效果,延长LED的使用寿命。
在选择AO3481C作为电子设计的一部分时,工程师需要充分考虑应用环境和工作条件。以下是一些选型建议:
电压和电流规格:确定所需的最大工作电压和电流是否在AO3481C的额定值之内,避免超负荷运作。
散热设计:虽然AO3481C的导通电阻较低,但在高频率或高电流应用中仍需考虑散热设计,确保元件在安全工作温度下运行。
驱动电路:选择合适的驱动电路以确保MOSFET能够迅速响应,达到预期的开关频率,提升整个系统的效率。
AO3481C是一款性能优越的P沟道MOSFET,凭借其优秀的电气特性和良好的应用灵活性,成为了许多电子设计中的理想选择。无论是在工业控制、消费电子还是新能源等领域,AO3481C都能够提供可靠的解决方案。通过合理的设计和选型,可以最大程度地发挥其性能优势,为最终用户提供高效、稳定和持久的产品体验。