封装/外壳 | TO-243AA | 晶体管类型 | PNP |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V | 集电极电流Ic(最大值) | 2A |
电流放大倍数hFE(最小值) | 120@500mA,2V | 功率(最大值) | 2W |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 350mV @ 50mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 500mA,2V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 供应商器件封装 | MPT3 |
基本简介:
2SB1561T100Q是一款由知名品牌ROHM(罗姆)生产的高性能PNP型双极结晶体管(BJT),封装形式为TO-243AA或MPT3 (SOT-89-3)。该器件特别适用于需要高效率和高功率处理的应用场景,广泛应用于功率放大、电源管理、开关控制等电子电路中。凭借其优秀的电性能,它是一款适合于多种设计要求的多用途半导体元件。
电气特性:
额定电压与电流: 2SB1561T100Q的集射极击穿电压(Vces)最高可达60V,能够兼容高电压电路设计。其集电极电流(Ic)最大值为2A,使其适应于高功率应用。
增益特性: 此器件在500mA的输出电流下,直流电流增益(hFE)的最低值为120,确保了在多种工作条件下的良好增益特性。这使得该晶体管在开关和放大电路中表现出色,为设计师提供了更大的灵活性。
饱和压降: 在Ib、Ic不同情况下,Vce饱和压降(Vce(sat))最大为350mV@50mA和1A,表明该器件在工作时的能耗极低,有助于提高电路的整体效率。
功率处理能力: 其最大功率为2W,适合于中等功率应用。高达150°C的工作结温(TJ)使其在高温环境下也能保持稳定的性能,适应各种严苛的工作条件。
频率响应: 该晶体管的跃迁频率高达200MHz,支持高频应用,并使其在开关频率较高的数字电路中能够良好工作。
应用场景:
2SB1561T100Q的应用范围广泛,主要包括但不限于如下几个领域:
音频放大器:适用于音频信号的放大应用,能够提供很高的增益,同时确保低失真。
电源管理:能有效控制电源模组中的开关操作,充分发挥其高效率和低饱和压降的优势。
开关电路:在各类开关电路设计中,它的响应速度快、功耗低使得电路运行更为高效可靠。
传感器驱动:在各类传感器应用中,可作为驱动器,提高信号处理的精度和速度。
封装与安装:
2SB1561T100Q采用表面贴装(SMT)封装形式,方便与现代PCB进行高密度组装。TO-243AA(MPT3封装)设计的兼容性也极大地方便了模块化设计的集成,不仅节约了空间,也简化了生产工艺。
总结:
总的来说,2SB1561T100Q PNP晶体管以其出色的电气特性、广泛的应用范围以及卓越的功率处理能力,成为了现代电子设计中不可或缺的组成部分。无论是在功率放大、电源控制还是高频开关应用中,它凭借优良的性能都能为设计师提供强有力的支持,是值得推荐的高性能电子元器件之一。