2N7002DW-7-F
2N7002DW-7-F参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 230mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7.5Ω @ 50mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 310mW | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 230mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 310mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
2N7002DW-7-F手册
2N7002DW-7-F概述
2N7002DW-7-F 产品概述
2N7002DW-7-F是一款高性能的双N沟道场效应晶体管（MOSFET），由DIODES（美台）公司制造，专门设计用于各种电子应用。其主要特性包括较高的漏源电压、适中的连续漏极电流，以及温度范围广泛的工作条件，适合在多种环境中高效运作。以下是本产品的详细规格与关键应用领域。
主要参数
漏源电压 (Vdss): 2N7002DW-7-F的漏源电压定额为60V，提供了良好的电压支持能力，适用于多种电气设备和电路中，能够有效抵御电压波动带来的风险。
连续漏极电流 (Id): 在25°C的环境温度下，该器件可提供最大230mA的连续漏极电流，适合驱动小功率负载，如LED、继电器和小型电机。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 栅源极阈值电压为2V @ 250µA，表明该MOSFET在较低的栅电压下即可启动，从而提高了电路的驱动灵活性。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在50mA和5V的条件下，导通电阻最大仅为7.5Ω，这使得器件在通态情况下能有效减少功耗，提高效率，适合对功耗有严格要求的应用。
功率耗散: 该器件在25°C的环境下的最大功率耗散值为310mW，确保能够在短时间内处理较高的功率而不至于过热，适应更为复杂的电路环境。
温度范围: 2N7002DW-7-F的工作温度范围为-55°C至150°C，这意味着它可用于极端环境下的应用，适合航空航天、汽车电子和工业控制等领域。
封装与安装: 该产品采用SOT-363封装，便于表面贴装，方便在现代电子产品中实现高密度布局，提高整体设计的空间效率。
应用领域
2N7002DW-7-F的应用范围非常广泛，主要包括但不限于以下几个领域：
开关电路: 该MOSFET适合用于各种开关电路，如LED驱动、电机控制和其他负载控制电路，能够实现高效的电源管理。
信号处理: 由于其较低的导通电阻和良好的频率响应，适合用于信号放大和分配电路，确保信号的完整传输且降低失真。
自动化与控制系统: 适用于传感器及控制器的驱动应用，能有效驱动小型继电器和电磁阀，在合集成电路中为逻辑控制提供支持。
消费电子: 像电视、音响、以及其他智能家居设备中，由于其远高于平均水平的功率处理能力和标准化的封装形式，使得2N7002DW-7-F成为优秀的选择。
总结
2N7002DW-7-F以其优异的电气性能、广泛的应用范围及高耐温能力，成为众多电子设计中的理想选择。其小巧的封装形式及强大的性能指标，适合在现代电子设备中进行高效、安全的电源管理。无论是在消费类电子产品、工业自动化，或者汽车电子中，2N7002DW-7-F都能够为设计人员提供理想的解决方案，助力提升产品的整体性能与可靠性。