2N7002CK,215
2N7002CK,215参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 55pF @ 25V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.3nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
2N7002CK,215手册
2N7002CK,215概述
产品概述：2N7002CK,215
产品简介
2N7002CK,215是一款由安世半导体（Nexperia）生产的N沟道MOSFET，采用SOT-23封装（TO-236AB）。此器件专为低电流和中等电压应用设计，适合表面贴装技术（SMT），适用于空间有限和高性能需求的电路板。凭借其出色的导电性能和热稳定性，2N7002CK,215在汽车、工业控制和消费电子等领域具有广泛的应用潜力。
关键参数
- 类型：N沟道MOSFET
- 安装类型：表面贴装型
- 最大漏电流（Id）：300mA（在25°C时）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 最大导通电阻（Rds(on)）：1.6欧姆 @ 500mA, 10V
- 栅极电压（Vgs）：±20V（最大值）
- 功率耗散：350mW（在25°C时）
- 输入电容（Ciss）：55pF @ 25V
- 栅极电荷（Qg）：1.3nC @ 4.5V
- 阈值电压（Vgs(th)）：2.5V @ 250µA
- 工作温度：最高可达150°C（TJ）
技术优势
高效能：2N7002CK,215在频率较高的开关应用中尤为突出，其最大导通电阻为1.6欧姆，确保在工作条件下优异的电流载流能力，从而降低能量损耗和发热量。
低输入电容：该MOSFET的输入电容为55pF，这使其在高频率切换时表现出色，允许更快速的开/关切换，适合用于PWM（脉宽调制）控制和高速开关电源等应用。
宽工作温度范围：支持最高150°C的工作温度，适用于多种工作环境，包括高温工业环境和汽车电子系统，提供额外的设计灵活性。
小型封装：SOT-23封装体积小，可以有效减少电路板占用空间，同时仍能满足性能需求，特别适合于便携嵌入式设备的应用。
应用场景
2N7002CK,215可以广泛应用于以下几个领域：
电源管理：作为开关元件使用于DC-DC转换器、降压/升压转换器和电池管理系统中。
信号开关：在数字电路中，2N7002CK可以用于开关功能，实现信号的选择和切换（如模拟和数字信号的开关）。
负载驱动：用于控制小型负载，如LED照明、马达驱动和继电器驱动等应用。
汽车电子：适合用于汽车电气系统的控制模块、灯光控制以及其它高温环境下的应用，确保设备在恶劣条件下也能正常工作。
总结
综上所述，2N7002CK,215是一款高性能的N沟道MOSFET，拥有理想的电气特性和可靠性，满足多种工业和消费应用的需求。其小型化设计以及卓越的热特性，使其在现代电子设备中成为一个不可或缺的元件。无论是用于低功耗应用还是对高温、恶劣环境的适应，2N7002CK,215都提供了出色的解决方案，是电子设计工程师的理想选择。