1PS79SB31,115
1PS79SB31,115参数
| 直流反向耐压（Vr） | 30V | 平均整流电流（Io） | 200mA |
| 正向压降（Vf） | 500mV @ 200mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 500mV @ 200mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 30µA @ 10V | 不同 Vr、F 时电容 | 25pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 供应商器件封装 | SOD-523 | 工作温度 - 结 | 125°C（最大） |
1PS79SB31,115手册
1PS79SB31,115概述
产品概述：1PS79SB31,115 肖特基二极管
一、产品简介
1PS79SB31,115 是一种高性能的肖特基二极管，采用 Nexperia (安世) 的先进技术设计而成，封装形式为 SOD-523。该产品的主要参数包括：直流反向耐压 (Vr) 最高可达 30V，平均整流电流 (Io) 为 200mA，具有极低的正向压降 500mV @ 200mA。这些性能特点使其在多种电子电路设计中都表现优异，是电源管理、信号整流和快速开关应用的理想选择。
二、主要电气特性
直流反向耐压（Vr）： 1PS79SB31,115 的直流反向耐压达到 30V，适合用于中等电压应用。它能够有效防止反向电压对电路造成的损害，确保元器件的长期稳定性。
平均整流电流（Io）： 该二极管平均整流电流定为 200mA，表明它能够在实际应用中支持一定的负载能力。低整流电流特性加之其小型封装，使其在空间受限的应用中表现突出。
正向压降（Vf）： 在 200mA 时的正向压降为 500mV，展现出良好的导电性能，进而降低了功耗和热量产生，能够提高系统的中整体效率。
反向泄漏电流： 在10V时的反向泄漏电流仅为 30µA，这一特性确保了其在关断状态下的电流浪费极小，适用于需要低功耗的应用。
电容值： 在1V, 1MHz下，本二极管的电容值为25pF，适合高频应用，帮助提升整体响应速度，适应更复杂的电路需求。
工作温度： 该二极管的结温范围可达 125°C（最大），使得其在高温环境下也能保持良好的工作性能，增强电路的可靠性。
三、封装与安装方式
1PS79SB31,115 采用 SOD-523 封装，具有极小的体积，适合现代电子设备中对空间要求严格的设计。其表面贴装型（SMD）特性使其简单易用，方便大规模自动化生产。
四、应用领域
开关电源： 在电源转换及整流电路中，1PS79SB31,115可以有效降低损耗，改善系统效率，广泛应用于开关电源设计中。
逆向保护电路： 其优良的反向耐压性能和低泄漏特性使其成为理想的逆向保护元件，能够有效防止电源反接造成的元器件损坏。
数据通信： 在双向数据传输中，低反向泄漏的特性使其能够在信号传输中保持信号完整性，特别适用于快速信号传输和可编程逻辑器件。
消费电子： 由于其紧凑的封装和高效能特点，该二极管常被应用于智能手机、平板电脑等消费电子产品中，以增强其电源管理和信号处理能力。
五、总结
综上所述，1PS79SB31,115 是一款功能强大且高效的肖特基二极管，凭借其卓越的电气特性和高温稳定性，广泛应用于电源管理和信号处理领域。其小型化的 SOD-523 封装和低功耗特性使其非常适合现代电子设备的发展趋势。在设计和应用过程中，1PS79SB31,115 的使用将为产品的性能提升和设计优化提供强劲的支撑。