1PS76SB21,115
1PS76SB21,115参数
| 直流反向耐压（Vr） | 40V | 平均整流电流（Io） | 200mA |
| 正向压降（Vf） | 550mV @ 200mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 40V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 550mV @ 200mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 15µA @ 30V | 不同 Vr、F 时电容 | 50pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 | 工作温度 - 结 | 125°C（最大） |
1PS76SB21,115手册
1PS76SB21,115概述
产品概述：1PS76SB21,115
一、概述
1PS76SB21,115是一款高性能的肖特基二极管，由Nexperia（安世）公司生产，采用SOD-323封装，非常适合现代电子设备中的多种应用。其设计特点包括低正向压降、优良的反向耐压能力及低反向泄漏电流，使其成为电源管理、信号整流和其它多种电路的理想选择。
二、主要参数
直流反向耐压 (Vr): 该二极管的最大直流反向电压为40V，适合在中等电压环境下使用，能够有效防止电路中的反向电流对元件造成损害。
平均整流电流 (Io): 在正常工作条件下，1PS76SB21,115能够承受平均整流电流达到200mA，这意味着它在多数应用中能够提供可靠的电流处理能力。
正向压降 (Vf): 当电流达到200mA时，该二极管的正向压降为550mV，这一特性使得其在整流过程中能够实现较高的效率，降低能量损耗。
反向泄漏电流: 在30V的条件下，反向泄漏电流仅为15µA，这标志着其具有非常高的绝缘性能，有助于降低待机功耗。
电容特性: 在0V和1MHz频率下，该二极管的电容值为50pF，对于高速信号传递特性尤为重要。
工作温度范围: 其结温可在125°C的条件下工作，表明其在高温环境中的良好稳定性，适合各种工业应用。
三、封装与安装类型
1PS76SB21,115采用SOD-323封装，这种小型化的封装设计不仅节省空间，还便于在多层电路板中的批量生产和组装。其表面贴装型（SMD）的特性符合现代电子设计的趋势，能有效改善电子设备的密度和性能。
四、应用场景
1PS76SB21,115的多种优越特性使其适合广泛的应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 用于开关电源和线性电源的整流电路。
- 信号整流: 高速开关电路中的信号整流，通过其低正向压降效能提升电路的总体效率。
- 保护电路: 用于反向电压防护，如在电源输入保护电路中的应用。
- 消费电子: 适合智能手机、平板电脑和其他移动设备中的电源管理需求。
五、总结
毫无疑问，1PS76SB21,115 是一款集高性能、小型化、低能耗于一体的肖特基二极管，适用范围广泛，是现代电子设备设计中不可或缺的关键元器件之一。其设计中的每一个参数都旨在响应市场对高效、稳定和高密度集成的需求，是Nexperia（安世）公司技术实力的体现。选择1PS76SB21,115将为您的项目带来更可靠和高效的解决方案。