AOTF12N50 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOTF12N50

商品编码: BM0000279042
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO220F
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
通孔-N-通道-500V-12A(Tc)-50W(Tc)-TO-220-3F
库存 :
5(起订量1,增量1)
批次 :
15+
数量 :
X
0.803
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.803
--
50+
¥0.401
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

AOTF12N50参数

封装/外壳TO-220-3整包FET类型N沟道
漏源极电压(Vdss)500V安装类型通孔(THT)

AOTF12N50手册

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AOTF12N50概述

AOTF12N50 产品概述

一、基本信息

AOTF12N50是AOS(Advanced Optoelectronic Technology Inc.)推出的一款N沟道功率场效应管(FET),其主要应用于高压功率转换、开关电源和电机驱动等场合。该器件采用TO-220-3封装,适合于通孔安装(THT),具有良好的散热性能和可靠性,适用于要求高耐压和高电流的场景。

二、技术规格

  • 封装类型: TO-220-3
  • FET类型: N沟道
  • 漏源极电压(Vdss): 500V
  • 漏极电流(Id): 12A(在Tc情况下)
  • 功耗(Pd): 50W(在Tc情况下)
  • 安装类型: 通孔 (THT)

该元器件具有高达500V的漏源极电压,能够有效应对在高电压应用中可能出现的逆向击穿。此外,其12A的漏极电流能力使其在用于驱动负载时,具备了优越的电流承载能力。这使得AOTF12N50可广泛应用于各类功率转换电路和电子设备中。

三、性能特点

  1. 高可靠性: AOTF12N50的设计以高可靠性为目标,其内部结构经过优化,以确保在各种苛刻条件下仍能稳定工作。该器件经过严格的质量检测,满足工业标准,适合长时间、高负载的运行环境。

  2. 热管理: TO-220封装设计提供良好的散热性能,这使得AOTF12N50能在高功率应用中展开更有效的热管理。通过良好的散热,器件可以在接近额定值的条件下稳定工作,显著提升了整体系统的可靠性。

  3. 高效率: 由于N沟道FET特有的电流启动和关断特性,该器件在开关频率高的应用中表现出优异的开关性能。其较低的导通电阻(Rds(on))能够有效降低功率损耗,提高整体电路的工作效率。

  4. 广泛的应用: AOTF12N50不仅适用于开关电源和电机驱动,还可以应用于其他要求高电压、大电流的电力电子设备,如逆变器、变频器、照明控制等场合,表现出色。

四、应用场景

  • 开关电源: 在开关电源设计中,该器件能够充当主要的开关元件,提供稳定的电压输出并提高转换效率。

  • 电机控制: 在电机驱动应用中,可以利用其高耐压和电流负载能力,进行高效的动态控制和调速。

  • 电源管理系统: 在对电源进行调节和管理的系统中,AOTF12N50能够发挥其优良的开关特性,确保系统的稳定性和可靠性。

  • 可再生能源设备: 例如太阳能逆变器,AOTF12N50可作为功率转换和调节的关键元件,支持太阳能发电系统的高效运作。

五、总结

AOTF12N50作为一款高性能的N沟道功率场效应管,在多个领域中展示了其极强的适应性和性能优势。其高耐压、高电流和良好的热管理特性,使其成为现代电力电子计算和控制领域的理想选择。无论是在开关电源、工业驱动,还是在清洁能源应用中,AOTF12N50的卓越表现都能帮助设备制造商实现更高的效率和可靠性。在未来,随着电力电子技术的进一步发展,AOTF12N50的应用潜力将更加广泛,必将在更多高端应用中扮演关键角色。