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AON7544 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON7544

商品编码: BM0000279038
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN3x3-8L
包装 : 
编带
重量 : 
0.104g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 23W 30V 30A 1个N沟道 DFN-8(3x3)
库存 :
30281(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.727
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.727
--
500+
¥0.519
--
2500+
¥0.471
--
5000+
¥0.445
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON7544参数

漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A(Tc)
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA漏源导通电阻5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)23W(Tc)类型N沟道

AON7544手册

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AON7544概述

AON7544 产品概述

AON7544 是一款高性能的 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),其设计旨在满足现代电子设备对功耗、效率和散热管理的严格要求。该器件提供了最大的灵活性和可靠性,能够广泛应用于各类电力管理、开关电源、和其他需要高效能的电子系统中。

基本参数

AON7544 的关键电气特性使它在各种应用中表现出色。首先,其漏源电压(Vdss)高达 30V,使其能够承受高电压应用,适用于汽车电子、工业控制以及高效电源转换器等领域。其次,其连续漏极电流(Id)为 30A(在 25°C 时的条件下),在高负载情况下表现稳定,这意味着它可以在多个应用场合中穿插使用,而无需担心因电流过大而导致的损坏风险。

性能优势

  • 栅源阈值电压:AON7544 的栅源极阈值电压为 2.2V(在 250µA 下测得),这使得 MOSFET 可在较低电压下被有效驱动,大大简化了驱动电路的设计,并提高了整体电路的系统效率。

  • 导通电阻:其漏源导通电阻仅为 5mΩ(在20A,10V条件下),该参数对于高频开关应用而言至关重要,意味着在导通状态下功率损耗极低,有助于降低整机的热量和提升系统的功率效率。

  • 功率耗散:AON7544 的最大功耗(在 Ta=25°C 时)为 23W,保证了在高度集成和紧凑设计情况下,元件能够高效工作而不会过热。这一特性对提高产品的可靠性尤为重要,同时也延长了设备的使用寿命。

封装与应用

AON7544 采用 DFN3x3-8L 的封装形式,尺寸极为紧凑(3mm x 3mm),使其非常适合于空间有限的应用场合。此外,该封装允许高效的热管理,使得器件在高电流工作时依然能够保持良好的散热性能。

该 MOSFET 广泛应用于:

  • 开关电源(SMPS):其高开关速度配合低导通电阻,使其成为调整电源密度和效率的理想选择。
  • LED 驱动:在LED照明中,AON7544 可以提供稳定而可调的电流,确保LED工作在最佳状态。
  • 电动汽车:能够高效驱动电机和管理电池充放电过程,提高电动汽车系统的整体能效。
  • 电源管理单元:在各种电子设备中用于控制电源的分配,提高能效,降低损耗。

总结

总之,AON7544 是一款具备高电流、低电阻和高功率处理能力的 N 沟道 MOSFET。它结合了先进的材料技术与严格的制造工艺,不仅能够满足现今电子产品对功耗和体积的双重要求,同时也提供高效的热管理和可靠性。无论是用于高效能电源管理系统,还是对电流和热量控制有严格要求的应用,AON7544 都是一个极具竞争力的选择。