漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 30A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 2.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 5mΩ @ 20A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 23W(Tc) | 类型 | N沟道 |
AON7544 是一款高性能的 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),其设计旨在满足现代电子设备对功耗、效率和散热管理的严格要求。该器件提供了最大的灵活性和可靠性,能够广泛应用于各类电力管理、开关电源、和其他需要高效能的电子系统中。
AON7544 的关键电气特性使它在各种应用中表现出色。首先,其漏源电压(Vdss)高达 30V,使其能够承受高电压应用,适用于汽车电子、工业控制以及高效电源转换器等领域。其次,其连续漏极电流(Id)为 30A(在 25°C 时的条件下),在高负载情况下表现稳定,这意味着它可以在多个应用场合中穿插使用,而无需担心因电流过大而导致的损坏风险。
栅源阈值电压:AON7544 的栅源极阈值电压为 2.2V(在 250µA 下测得),这使得 MOSFET 可在较低电压下被有效驱动,大大简化了驱动电路的设计,并提高了整体电路的系统效率。
导通电阻:其漏源导通电阻仅为 5mΩ(在20A,10V条件下),该参数对于高频开关应用而言至关重要,意味着在导通状态下功率损耗极低,有助于降低整机的热量和提升系统的功率效率。
功率耗散:AON7544 的最大功耗(在 Ta=25°C 时)为 23W,保证了在高度集成和紧凑设计情况下,元件能够高效工作而不会过热。这一特性对提高产品的可靠性尤为重要,同时也延长了设备的使用寿命。
AON7544 采用 DFN3x3-8L 的封装形式,尺寸极为紧凑(3mm x 3mm),使其非常适合于空间有限的应用场合。此外,该封装允许高效的热管理,使得器件在高电流工作时依然能够保持良好的散热性能。
该 MOSFET 广泛应用于:
总之,AON7544 是一款具备高电流、低电阻和高功率处理能力的 N 沟道 MOSFET。它结合了先进的材料技术与严格的制造工艺,不仅能够满足现今电子产品对功耗和体积的双重要求,同时也提供高效的热管理和可靠性。无论是用于高效能电源管理系统,还是对电流和热量控制有严格要求的应用,AON7544 都是一个极具竞争力的选择。