漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 7A |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 18mΩ @ 7A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.5W | 类型 | 双N沟道(共漏) |
AO8822是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET),专为低压应用设计,其性能参数极为优异,适合多种电子电路与功率转换装置。本产品由知名品牌AOS(Advanced Power Electronics Corp.)生产,采用紧凑的TSSOP-8封装,极大地方便了PCB设计和空间的节约,适用于手机、平板电脑、LED驱动以及其他便携式设备。
漏源电压(Vdss):AO8822的最大漏源电压为20V,使其能够在绝大多数低压应用中稳定工作。其电压理论上可以在20V线供电系统中正常运作,适合低功耗的开关电源和高频转换器。
连续漏极电流(Id):在25°C环境温度下,AO8822能够承受高达7A的连续漏极电流,这使得其能够满足诸如电机驱动、变换器驱动等较大电流需求的场合。该特性使其非常适合在高负载环境中应用。
栅源极阈值电压:AO8822在1V @ 250μA的条件下的栅源极阈值电压提供了良好的驱动灵活性,能够与不同电平的控制电路兼容,降低了驱动电路的复杂性,适合微控制器和数字电路的直接驱动。
漏源导通电阻:在7A、10V的测试条件下,其漏源导通电阻仅为18mΩ,这意味着AO8822在通态中具有非常低的能量损耗,能够有效地提高系统的能效,并降低发热量。
最大功率耗散:AO8822的最大功率耗散能力为1.5W(Ta=25°C),这一特性在高温或高功率应用中非常重要,确保在负载条件下的可靠运行。
AO8822采用了TSSOP-8封装,尺寸小巧(一般为3mm x 5mm),极大地节省了PCB的空间,便于高密度设计。TSSOP封装的特性还使得该产品在散热性能方面表现优越,可以迅速散发产生的热量,从而提升其性能稳定性,避免发生热失控。
根据其优秀的电气特性,AO8822广泛应用于以下场景:
总的来说,AO8822作为一款双N沟道场效应管,其优异的电性能、较高的电流和电压承载能力以及紧凑的封装特性,使其成为低压电子设备中的理想选择。无论是电源管理还是信号开关,AO8822都能提供高效、可靠的解决方案,助力设计工程师在现代电源系统中实现更佳的性能和更大的灵活性。对于任何需要高效能和高可靠性的电子产品设计师而言,AO8822都是一个值得关注的优质元件。