2SD1898T100R 产品实物图片
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2SD1898T100R

商品编码: BM0000278955
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
MPT3(SOT-89)
包装 : 
编带
重量 : 
0.129g
描述 : 
三极管(BJT) 2W 80V 1A NPN SOT-89-3
库存 :
16(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.04
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.04
--
50+
¥0.518
--
1000+
¥0.45
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SD1898T100R参数

额定功率2W集电极电流Ic1A
集射极击穿电压Vce80V晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A电压 - 集射极击穿(最大值)80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 20mA,500mA电流 - 集电极截止(最大值)1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)180 @ 500mA,3V功率 - 最大值2W
频率 - 跃迁100MHz工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-243AA
供应商器件封装MPT3

2SD1898T100R手册

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2SD1898T100R概述

2SD1898T100R 产品概述

产品简介

2SD1898T100R 是由 ROHM(罗姆)公司推出的一款高性能 NPN 型晶体管,广泛应用于功率放大和开关电路中。该产品封装采用 MPT3 (SOT-89) 表面贴装形式,具备优良的电气性能和散热能力,适合现代电子设计中的紧凑布局需求。

基础参数

  • 额定功率: 2W
  • 集电极电流 (Ic): 1A(最大值)
  • 集射极击穿电压 (Vce): 80V(最大值)
  • Vce 饱和压降: 在不同的基极电流 (Ib) 及集电极电流 (Ic) 下,Vce 饱和压降最大值为 400mV(@20mA,500mA)。
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大值为 1µA,显示出其高可靠性和优秀的电气特性。
  • DC 电流增益 (hFE): 在 500mA 和 3V 时,最小增益为 180,表明其具有较强的信号放大能力。
  • 频率特性: 跃迁频率高达 100MHz,适合高频应用场景。
  • 工作温度: 可在高达 150°C 的环境温度下工作,展示出良好的温度稳定性及应对恶劣工作环境的能力。

应用领域

2SD1898T100R 可广泛用于多种电子设备中,包括但不限于以下几种应用场景:

  1. 开关电源: 鉴于其高达 1A 的集电极电流能力,可以作为开关电路中的主开关元件,实现高效的电能转换和管理。
  2. 音频放大: 由于其较高的 DC 电流增益,适合用于音频放大器设计中,能够有效放大音频信号。
  3. 信号处理电路: 该晶体管的高频特性使其适合用于信号放大和处理电路,在无线通信设备中具有潜在应用。
  4. 电机驱动: 可用于小型电机的驱动电路中,提供稳定的功率输出,确保电机正常运转。

性能优势

  • 高功率能力: 具备 2W 的额定功率,能够应对高负载的工作条件,确保电路的稳定性。
  • 低饱和压降: 较低的 Vce 饱和压降能够提高电路的工作效率,减少能源损耗。
  • 高增益: DC 电流增益 (hFE) 的高值使得信号放大效果明显,经过多级放大后依然能保持良好的线性特性。
  • 宽温度范围: 高达 150°C 的工作温度,适合在各种工业和消费电子设备中的严格环境条件下正常工作。

封装信息

2SD1898T100R 采用 SOT-89 (MPT3) 封装,具有小型化和表面贴装的特性,大大降低了 PCB 板的空间需求。其紧凑的设计使得该型号晶体管非常适合现代电子设计项目,同时也便于自动化焊接和集成到各种电路中。

总结

2SD1898T100R 是一款高效能的 NPN 晶体管,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用领域,为电子工程师提供了可靠的选择。无论是在音频、开关电源还是信号处理等方面,2SD1898T100R 都能展现出其高可靠性和稳定性,是电路设计中不可或缺的重要元件。