额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 32V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 32V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 100mA,3V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SMT3 |
2SC2411KT146R是一款高性能的NPN晶体管,特别设计用于满足广泛的电子电路需求。该器件由知名品牌ROHM(罗姆)生产,以其优良的质量和可靠性在电子行业中享有盛誉。凭借其出色的电气特性,2SC2411KT146R可广泛应用于信号放大、开关电源电路、音频放大以及其他需要中等功率输出的应用场合。
额定功率:200mW
该晶体管的额定功率为200mW,使其适合用于低功耗电子设备中。在高频率工作环境下仍能保持良好的热稳定性,避免过热损坏。
集电极电流 (Ic):最大值为500mA
它能够处理高达500mA的集电极电流,使其在多种应用中表现出色,尤其适合驱动小负载或作为信号处理单元。
集射极击穿电压 (Vce):最大值为32V
最高集射极击穿电压为32V,能够满足多数通用电子电路的工作要求。这一电压等级使其在高压应用中相对安全可靠。
最大饱和压降 (Vce(sat)):600mV @ 50mA,500mA
在50mA和500mA时,最大饱和压降为600mV,确保高效的电流转换并降低功耗,优化整体性能。
电流 - 集电极截止 (ICBO):最大值为1µA
此参数确保晶体管在非导通状态下几乎不漏电,适用于高灵敏度电路设计。
DC电流增益 (hFE):最小值为120 @ 100mA,3V
显示出晶体管在小信号放大应用中的优良电流增益特性。
频率 - 跃迁:250MHz
频率响应性能良好,适合用于需要快速开关和高频操作的应用,如射频电路和高速数字电路。
工作温度:150°C(TJ)
高达150°C的结温使得2SC2411KT146R适合于严苛工作环境,增强了其应用灵活性。
2SC2411KT146R采用表面贴装型封装,符合TO-236-3、SC-59和SOT-23-3标准。紧凑的封装设计不仅有效节省了电路板空间,还确保了与其他元器件的良好兼容性。此晶体管的SMT3器件封装适合自动化生产过程,提高了装配效率。
由于其优异的性能参数,2SC2411KT146R晶体管在多个领域都有广泛的应用,包括但不限于:
总体来看,2SC2411KT146R是一款性能卓越、可靠性高的NPN晶体管,凭借其优越的电气特性和耐高温能力,成为适合多种应用的理想选择。作为ROHM品牌产品,其质量得到了业界的广泛认可,适合于现代电子产品中各种严苛条件下的使用。如果您正在寻找一款高效能的NPN晶体管,2SC2411KT146R无疑会是您的不二之选。