2N7002-TP
2N7002-TP参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
2N7002-TP手册
2N7002-TP概述
产品概述：2N7002-TP N通道 MOSFET
一、产品简介
2N7002-TP是一款高性能的N通道MOSFET，主要用于各种电子应用中，如开关电源、信号放大、功率控制和小型负载驱动等。该元件的设计目标是实现高效能和小型化，特别适合表面贴装(SMD)应用。其一致的电气性能和宽广的工作温度范围，使其成为众多电子设备中不可或缺的组件。
二、主要参数与性能
安装类型：2N7002-TP采用表面贴装型(SMT)封装，符合现代电子设备对空间和集成度的要求，使其能够在紧凑的板级设计中轻松安装和焊接。
额定电流和电压：
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，最大额定电流为115mA，确保在低功耗应用中可提供可靠的操作。
- 漏源电压（Vdss）：该器件可承受最高60V的漏极源电压，使其能够在多种电源应用中使用。
导通电阻（Rds(on)）：在10V的Vgs条件下，器件在500mA的电流下导通电阻最大值为7.5Ω，表明在导通状态下器件表现出较低的能耗和较高的效率。
阈值电压（Vgs(th)）：在250µA的条件下，阈值电压的最大值为2.5V，方便设计师在低电压驱动下直接控制MOSFET的开关状态。
输入电容（Ciss）：在25V的偏置下，输入电容在最大值为50pF，这一相对较低的电容值有助于提升开关速度，降低开关损耗。
功率耗散：最大功率耗散为200mW，确保在实际应用中元件的温升保持在安全范围内。
工作温度：该产品的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在严苛环境中运行，如汽车电子、工业控制等。
三、封装与尺寸
2N7002-TP采用流行的SOT-23封装，该封装形式不仅占用空间小，而且易于自动化焊接。SOT-23的外形和引脚配置使其适用于多种PCB设计，极大地方便了设计工程师在开发阶段的应用。
四、应用领域
由于其优秀的电气特性和紧凑的尺寸，2N7002-TP在多个领域具有广泛的应用：
- 消费电子：如智能手机、平板电脑等低功耗便携设备中的开关控制。
- 工业控制：用于电机驱动和其他负载控制应用。
- 汽车电子：在汽车的灯光控制系统中，用于实现高效能的开关操作。
- 电源管理：用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源设备中，提升能效。
五、总结
2N7002-TP是一款高效能、广泛适用的N通道MOSFET，具有合适的电压和电流处理能力，低导通电阻和优秀的热稳定性。其独特的设计适合于现代电子产品的需求，无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子应用中，都能提供可靠的性能保障。由于其良好的品质和可靠性，2N7002-TP可被视为设计工程师在选择MOSFET时的优质选项。