　　2N7002ET1G产品品牌

　　安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效联接、感知、电源管理、模拟、逻辑、时序、分立及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。

　　2N7002ET1G产品参数

产品分类	MOSFETs
封装/外壳	SOT-23
零件状态	Active
系列	-
是否无铅	Yes
晶体管类型	N沟道
安装类型	SMT
工作温度	-55℃~+150℃
湿气敏感性等级 (MSL)	1（无限）
漏源电压(Vdss)	60V
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.5欧姆@240mA，10V
阈值电压	2.5V@250µA
连续漏极电流	260mA
配置	单路
原始制造商	ON Semiconductor
原产国家	America
认证信息	RoHS
长x宽/尺寸	2.90 x 1.30mm
高度	1.11mm
引脚数	3Pin
存储温度	-55℃~+150℃
元件生命周期	Active
极性	N-沟道
击穿电压	60V
栅极源极击穿电压	±20V
反向传输电容Crss	2.9pF
充电电量	0.81nC
功率耗散	300mW