路透社消息，为了在生产用于人工智能的高端芯片的竞争中迎头赶上，三星电子计划使用竞争对手SK海力士（SK Hynix）倡导的芯片制造技术。
随着生成式人工智能的日益普及，对高带宽内存（HBM）芯片的需求不断增长。三星却并未能像SK海力士和美光科技一样，与人工智能芯片领导者Nvidia达成HBM供应交易。
三星在竞争中落后的原因之一是其决定坚持使用称为非导电薄膜（NCF）的芯片制造技术，这会导致一些生产问题，而海力士则改用大规模回流模制底部填充（MR-MUF）方法来解决NCF的弱点。
直接了解此事的消息人士称，三星最近发布了用于处理 MUF 技术的芯片制造设备的采购订单。
“三星必须采取一些措施来提高其 HBM（生产）产量......采用 MUF 技术对三星来说放下骄傲，因为它最终遵循了 SK 海力士首先使用的技术，”一位消息人士表示。
分析师表示，三星的 HBM3 芯片生产良率约为 10-20%，SK 海力士的HBM3 生产良率约为60%-70%。
一位消息人士透露，三星已与包括日本长濑在内的材料制造商进行谈判，以采购MUF材料。该消息人士还补充道，由于三星需要进行更多的测试，使用MUF的高端芯片最早要到明年才能大规模生产。
消息人士还表示，三星计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术。
