1月11日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm宣布双方已达成最终协议，根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元（约为24.08亿人民币）。
瑞萨电子表示，此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。
随着碳中和的基石需求逐渐增加，对高效电源系统的需求也在增加。为了应对这一趋势，相关产业正在向以碳化硅（SiC）和GaN为代表的宽禁带（WBG）材料过渡。
这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。为了借助这一势头，瑞萨宣布建立一个内部SiC生产线，并签署了一份为期10年的SiC晶圆供应协议。
据悉，瑞萨电子的目标是利用Transphorm在GaN方面的专业知识进一步扩展其WBG产品组合，GaN是一种新兴材料，可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。
这些优势使客户的系统具有更高的效率、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。也因此，根据行业研究，GaN的需求预计每年将增长50%以上。
瑞萨电子将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案，以及计算、能源、工业和消费应用。
业内资深人士表示：“瑞萨这两年开始大规模投资宽禁带半导体，碳化硅方面已经和Wolfspeed签订了长期的材料供应协议，并计划在2025年开始量产碳化硅功率半导体。氮化镓方面，其实Transphorm早有整并或出售计划，该公司拥有丰富的功率氮化镓技术积累，且其晶圆厂就在日本，因此瑞萨选择收购是个非常不错的选择。”
Transphorm董事会已一致批准最终协议，并建议Transphorm股东通过该最终交易并批准合并。在签署最终协议的同时，持有Transphorm约38.6%已发行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已与瑞萨签订惯例投票协议以支持本次交易。
该交易预计将于2024年下半年完成，但需获得Transphorm股东的批准、监管部门的许可和其他惯例成交条件的满足。
