工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 访问时间 | 130ns |
技术 | FRAM(铁电体 RAM) | 时钟频率 | 3.4MHz |
存储器接口 | I²C | 安装类型 | 表面贴装型 |
存储器类型 | 非易失 | 电压 - 供电 | 1.8V ~ 3.6V |
存储容量 | 64Kb (8K x 8) | 存储器格式 | FRAM |
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1是富士通(FUJITSU)旗下的一款高性能非易失性存储器,采用FRAM(铁电体RAM)技术,提供64Kb(8K x 8)的存储容量。该产品通过I²C接口实现通信,时钟频率可达3.4MHz,访问时间仅为130ns,适用于各种高性能嵌入式系统。
本产品的工作电压范围为1.8V至3.6V,适合低功耗应用,尤其是在便携式设备和嵌入式系统中。同时, MB85RC64TAPNF-G-BDERE1的工作温度范围在-40°C到85°C之间,确保在各种苛刻环境中稳定运行。
该产品采用8-SOP封装,易于表面贴装(SMD),适合高密度的电路板设计。其紧凑的封装形式为设计师提供了更大的设计自由度,确保了电路板的集成度和可靠性。
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1因其优良的特性和性能广泛应用于多个领域:
与传统的存储器技术相比,MB85RC64TAPNF-G-BDERE1展示出了更好的性能和可靠性。其非易失性和高耐久性使得它在需要频繁读写的情境下,表现出色。此外,相较于EEPROM和Flash存储器,FRAM在速度和能耗方面更具优势,极大地提升了系统整体的性能。
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1不仅仅是一款存储器,它凭借其优越的技术参数和多功能应用场景,为设计师在开发嵌入式系统时提供了强有力的支持。随着电子技术的不断发展,融入FRAM技术的存储解决方案也将会越来越受到欢迎,为各类应用带来更多可能。无论是从性能、稳定性还是集成度上,MB85RC64TAPNF-G-BDERE1都展示了它作为现代存储解决方案的无可替代性。