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AP9565K 产品实物图片
AP9565K 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AP9565K

商品编码: BM0225100284
品牌 : 
ALLPOWER(铨力)
封装 : 
TO-252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 25W 40V 24.5A 1个P沟道 TO-252-2
库存 :
989(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.343
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.343
--
100+
¥0.342
--
1250+
¥0.341
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

AP9565K参数

功率(Pd)25W反向传输电容(Crss@Vds)100pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)42mΩ@10V,12A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)18nC
漏源电压(Vdss)40V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.36nF连续漏极电流(Id)24.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

AP9565K手册

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AP9565K概述

AP9565K 场效应管(MOSFET)产品概述

概要

AP9565K 是由铨力(ALLPOWER)公司生产的高性能场效应管(MOSFET),属于P沟道类型,适用于各种高功率电子设备中的开关和调节应用。以下是对该产品的详细介绍。

基础参数

  • 功率(Pd): 25W
  • 反向传输电容(Crss@Vds): 100pF
  • 商品分类: 场效应管(MOSFET)
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 42mΩ @ 10V, 12A
  • 工作温度: -55℃ ~ +150℃
  • 栅极电荷(Qg@Vgs): 18nC
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 类型: 1个P沟道
  • 输入电容(Ciss@Vds): 1.36nF
  • 连续漏极电流(Id): 24.5A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V @ 250uA

封装和品牌

  • 封装: TO-252-2
  • 品牌: 铨力(ALLPOWER)

性能特点

高功率处理能力

AP9565K 具有高达25W的功率处理能力,适用于需要高能量转换的应用场景,如电源供应器、电动机驱动、照明系统等。

低导通电阻

该MOSFET的导通电阻(RDS(on))仅为42mΩ @ 10V, 12A,这意味着在开启状态下,电流通过时会产生很少的热量和能量损失,提高了整体系统的效率和可靠性。

宽工作温度范围

AP9565K 的工作温度范围从 -55℃ 到 +150℃,使其能够在极端环境下稳定运行,这对于工业控制、汽车电子和航空航天等领域尤为重要。

低栅极电荷

栅极电荷(Qg)为18nC,这降低了开关时间和能量损失,特别适合需要快速开关的应用。

高输入电容

输入电容(Ciss)为1.36nF,确保了在高频开关应用中稳定的性能和低噪声特性。

高连续漏极电流

该MOSFET能够承受高达24.5A的连续漏极电流,这使得它在高电流应用中具有强大的承载能力。

低阈值电压

阈值电压(Vgs(th))为3V @ 250uA,表示该MOSFET可以在较低的栅极电压下打开,这对于节能和低功耗设计非常有利。

应用场景

电源供应器

AP9565K 适用于各种电源供应器中的开关和调节环节,尤其是在需要高效能转换和低热量产生的场景中。

电动机驱动

在电动机驱动系统中,AP9565K 可以作为H桥或三相桥的关键组件,提供高效、可靠的电流控制。

照明系统

在LED照明系统中,AP9565K 可以用于恒流驱动器,确保LED灯具稳定运行并提高整体系统效率。

工业控制

该MOSFET也广泛应用于工业控制系统,如变频器、伺服驱动器等,提供高性能和可靠性的开关功能。

安装和使用注意事项

热设计

由于AP9565K具有高功率处理能力,需要确保良好的散热设计,以避免过热导致的故障。

电压和电流限制

在使用过程中,必须确保操作电压和电流不超过指定参数,以防止损坏元件。

静电保护

在处理和安装过程中,应采取适当的静电保护措施,以防止静电损伤。

总结

AP9565K 是一款高性能、多功能的P沟道MOSFET,通过其优异的参数和广泛的应用场景,成为各类电子设备中的理想选择。其低导通电阻、宽工作温度范围和高连续漏极电流等特点,使其在高功率电子设备中表现出色。通过合理的设计和使用,AP9565K 可以显著提高系统的效率、可靠性和稳定性。