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AP30H80K 产品实物图片
AP30H80K 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AP30H80K

商品编码: BM0225100280
品牌 : 
ALLPOWER(铨力)
封装 : 
TO-252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 75W 30V 75A 1个N沟道 TO-252-2
库存 :
980(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.353
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.353
--
100+
¥0.352
--
1250+
¥0.351
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

AP30H80K参数

功率(Pd)75W反向传输电容(Crss@Vds)180pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.5mΩ@4.5V,10A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)11.1nC
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.16nF@25V连续漏极电流(Id)75A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

AP30H80K手册

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无数据

AP30H80K概述

AP30H80K 场效应管(MOSFET)产品概述

概要

AP30H80K 是由铨力(ALLPOWER)品牌生产的高性能场效应管(MOSFET),属于N沟道类型,适用于各种高功率电子设备和系统。以下是对这个产品的详细介绍。

基础参数

  • 功率(Pd): 75W
  • 反向传输电容(Crss@Vds): 180pF
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 6.5mΩ @ 4.5V, 10A
  • 工作温度: -55℃ ~ +175℃
  • 栅极电荷(Qg@Vgs): 11.1nC
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 类型: 1个N沟道
  • 输入电容(Ciss@Vds): 1.16nF @ 25V
  • 连续漏极电流(Id): 75A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V @ 250uA

封装和品牌

  • 封装: TO-252-2
  • 品牌: 铨力(ALLPOWER)

性能特点

高效导通电阻

AP30H80K 具有极低的导通电阻(RDS(on)),仅为 6.5mΩ @ 4.5V, 10A。这意味着在导通状态下,设备会产生非常小的热量和能量损失,提高整体系统的效率和可靠性。

高连续漏极电流

该场效应管能够承受高达 75A 的连续漏极电流,这使其适用于需要高电流驱动的应用,如电动机控制、电源转换器和高功率放大器等。

宽工作温度范围

AP30H80K 的工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃,这使得它能够在极端环境下保持稳定运行,适用于各种工业、汽车和消费电子产品。

低栅极电荷

栅极电荷(Qg)为 11.1nC,这对于快速开关应用非常重要。低栅极电荷意味着更快的开关时间和更低的开关损失,进一步提高系统的效率。

低输入电容

输入电容(Ciss)为 1.16nF @ 25V,这有助于减少驱动电路的负载,并提高系统的稳定性和响应速度。

应用场景

电动机控制

AP30H80K 的高连续漏极电流和低导通电阻使其非常适合用于电动机控制系统,例如工业自动化设备、电动工具和汽车电子系统。

电源转换器

在电源转换器应用中,AP30H80K 的低导通电阻和快速开关能力可以显著减少能量损失,提高转换效率。

高功率放大器

对于需要高电流驱动的高功率放大器,AP30H80K 提供了必要的连续漏极电流和低导通电阻,确保放大器的稳定运行和高效性能。

汽车电子系统

由于其宽工作温度范围和高可靠性,AP30H80K 也适用于各种汽车电子系统,如启动系统、燃油喷射系统等。

安装和使用注意事项

热管理

尽管 AP30H80K 具有低导通电阻,但在高功率应用中仍需要合适的热管理措施,以确保设备在长时间运行中保持稳定。

驱动电路设计

由于低栅极电荷,驱动电路需要设计为能够提供足够的驱动能力,以确保快速开关和稳定运行。

电气隔离

在安装时,需要确保适当的电气隔离措施,以防止电气噪声和干扰影响系统性能。

总结

AP30H80K 是一款高性能、低损耗的N沟道场效应管,适用于各种高功率电子设备和系统。其优异的参数如低导通电阻、宽工作温度范围和高连续漏极电流,使其成为工业、汽车和消费电子领域的理想选择。通过合理的设计和安装,可以充分发挥 AP30H80K 的性能优势,提高整体系统的效率和可靠性。