功率(Pd) | 75W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 180pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.5mΩ@4.5V,10A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.1nC |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.16nF@25V | 连续漏极电流(Id) | 75A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
AP30H80K 是由铨力(ALLPOWER)品牌生产的高性能场效应管(MOSFET),属于N沟道类型,适用于各种高功率电子设备和系统。以下是对这个产品的详细介绍。
AP30H80K 具有极低的导通电阻(RDS(on)),仅为 6.5mΩ @ 4.5V, 10A。这意味着在导通状态下,设备会产生非常小的热量和能量损失,提高整体系统的效率和可靠性。
该场效应管能够承受高达 75A 的连续漏极电流,这使其适用于需要高电流驱动的应用,如电动机控制、电源转换器和高功率放大器等。
AP30H80K 的工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃,这使得它能够在极端环境下保持稳定运行,适用于各种工业、汽车和消费电子产品。
栅极电荷(Qg)为 11.1nC,这对于快速开关应用非常重要。低栅极电荷意味着更快的开关时间和更低的开关损失,进一步提高系统的效率。
输入电容(Ciss)为 1.16nF @ 25V,这有助于减少驱动电路的负载,并提高系统的稳定性和响应速度。
AP30H80K 的高连续漏极电流和低导通电阻使其非常适合用于电动机控制系统,例如工业自动化设备、电动工具和汽车电子系统。
在电源转换器应用中,AP30H80K 的低导通电阻和快速开关能力可以显著减少能量损失,提高转换效率。
对于需要高电流驱动的高功率放大器,AP30H80K 提供了必要的连续漏极电流和低导通电阻,确保放大器的稳定运行和高效性能。
由于其宽工作温度范围和高可靠性,AP30H80K 也适用于各种汽车电子系统,如启动系统、燃油喷射系统等。
尽管 AP30H80K 具有低导通电阻,但在高功率应用中仍需要合适的热管理措施,以确保设备在长时间运行中保持稳定。
由于低栅极电荷,驱动电路需要设计为能够提供足够的驱动能力,以确保快速开关和稳定运行。
在安装时,需要确保适当的电气隔离措施,以防止电气噪声和干扰影响系统性能。
AP30H80K 是一款高性能、低损耗的N沟道场效应管,适用于各种高功率电子设备和系统。其优异的参数如低导通电阻、宽工作温度范围和高连续漏极电流,使其成为工业、汽车和消费电子领域的理想选择。通过合理的设计和安装,可以充分发挥 AP30H80K 的性能优势,提高整体系统的效率和可靠性。