商品分类 | NOR FLASH | 块擦除时间(tBE) | 150ms@(32KB) |
存储容量 | 128Mbit | 工作温度 | -40℃~+85℃ |
工作电压 | 2.7V~3.6V | 接口类型 | SPI |
数据保留 - TDR(年) | 20年 | 时钟频率(fc) | 133MHz |
页写入时间(Tpp) | 500us |
GD25Q128ESIG 是由北京兆易创新(Gigadevice)公司推出的高性能 NOR FLASH 存储器件。该器件以其卓越的性能、可靠性和广泛的应用场景,成为嵌入式系统、工业控制、汽车电子和消费电子等领域的理想选择。
GD25Q128ESIG 采用 SOP-8 封装,尺寸为 208mil。这一紧凑的封装设计使其非常适合于空间有限的应用场景,同时也提供了良好的热性能和可靠性。
GD25Q128ESIG 支持高达 133 MHz 的时钟频率,这使得它能够实现快速的数据读取和传输。这种高速读取能力特别适用于需要实时数据处理和高速存储访问的应用。
该器件的工作电压范围为 2.7 V ~ 3.6 V,这不仅降低了功耗,还提高了系统的整体能效。低功耗设计使其非常适合于电池供电设备和其他需要节能的应用。
GD25Q128ESIG 的工作温度范围从 -40℃ 到 +85℃,这使得它可以在各种极端环境下稳定运行。这种宽温范围特性使其广泛应用于工业控制、汽车电子等对环境耐受性有高要求的领域。
该器件具有 20 年的数据保留时间,这保证了数据在长期存储过程中的安全和可靠性。同时,块擦除时间仅为 150 ms (@ 32 KB),页写入时间为 500 us,这些参数都表明了其高效的编程和擦除性能。
GD25Q128ESIG 使用 SPI 接口,这是一种常见且广泛支持的串行通信协议。SPI 接口支持多种工作模式,包括单线、双线和四线模式,提供了灵活的通信选项,方便与各种微控制器和处理器进行接口。
在嵌入式系统中,GD25Q128ESIG 可以作为代码存储或数据存储空间,特别适用于需要高速读取和低功耗的应用,如智能家居设备、工业自动化控制器等。
由于其宽温范围和高可靠性,GD25Q128ESIG 非常适合用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、驾驶辅助系统等。
在消费电子领域,如智能穿戴设备、无线传感器网络等,GD25Q128ESIG 的低功耗和紧凑封装设计使其成为理想的选择。
GD25Q128ESIG 是一款高性能、低功耗、宽温范围的 NOR FLASH 存储器件。其高速读取能力、灵活的 SPI 接口以及高可靠性,使其广泛应用于各种需要高速存储访问和低功耗的场景。无论是在嵌入式系统、工业控制还是消费电子领域,GD25Q128ESIG 都是开发人员和工程师的首选器件。