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HY15P03C2 产品实物图片
HY15P03C2 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

HY15P03C2

商品编码: BM0224595700
品牌 : 
HUAYI(华羿微)
封装 : 
PDFN5X6-8L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 52W 30V 60A 1个P沟道 DFN-8(5.2x5.9)
库存 :
390(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.93
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.93
--
100+
¥0.92
--
1250+
¥0.91
--
2500+
¥0.9
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

HY15P03C2参数

功率(Pd)52W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6mΩ@10V,20A漏源电压(Vdss)30V
类型1个P沟道连续漏极电流(Id)60A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

HY15P03C2手册

HY15P03C2概述

HY15P03C2 产品概述

一、产品基本信息

HY15P03C2 是一款由华羿微(HUAYI)生产的 P 沟道 MOSFET(场效应管),其具有卓越的电气性能和热管理特性,适用于多种高效能功率电子应用。该器件的核心规格包括:额定功率52W,最大漏极电压30V,以及最大漏极电流可达60A。此MOSFET采用PDFN5X6-8L封装(尺寸为5.2mm x 5.9mm),适合紧凑型电路设计,能够有效节省空间并提高散热效率。

二、技术参数

  1. 漏极-源极电压(Vds): 最大可承受30V的电压,适合应用于低压电源管理。
  2. 连续漏极电流(Id): 可提供最大60A的漏极电流,具备强大的驱动能力,适用于高功率负载。
  3. 最大功率耗散(Pd): 52W的功率耗散能力,保证器件在高负载条件下的可靠性和稳定性。
  4. 门极阈值电压(Vgs(th)): 通常在-2V到-4V之间,表明其在较低的门极电压下即可开启,对于减少驱动电路的功耗具有积极意义。
  5. 开关性能: 该MOSFET具备较低的 Rds(on),在开启状态下能有效减少导通损耗,提升整体效率。

三、产品特点

  • 高效能: HY15P03C2的设计考虑到了降低沟道损耗和提升开关速度,特别适合高频和快速开关应用。
  • 紧凑封装: 采用PDFN封装,具备优良的热性能,能够在有限空间内提供强大的功率处理能力。
  • 增强的热管理: 高效的热传导特性允许器件在高负载情况下,仍能保持较低的工作温度,提高整体系统的可靠性。
  • 电磁干扰(EMI)降低: 通过优化的切换特性,HY15P03C2能够显著降低EMI,提升电路的抗干扰能力。

四、应用场景

HY15P03C2适用于众多电子应用,包括但不限于:

  1. DC-DC转换器: 由于其高效能和低导通电阻,常用于开关电源和线性稳压电源设计,能够优化转换效率。
  2. 电机驱动器: 在各种电动机控制系统中,HY15P03C2可作为开关元件,以实现高效的电机控制。
  3. 电源管理: 凭借其低Vgs(th)以及高电流处理能力,广泛应用于电源管理IC中,有效提高了工作效率。
  4. 可再生能源: 在太阳能逆变器和风力发电系统中,HY15P03C2的性能可以满足高负载要求,并确保系统的可靠性和稳定性。

五、结论

HY15P03C2凭借其优异的电气性能、紧凑的封装设计以及广泛的应用适配性,成为现代电子设计中不可或缺的一部分。无论是在追求高效率的电源转换,还是在要求高可靠性的电机控制系统中,该MOSFET都能深入人心,为各种智能化设备和工业自动化提供强大的技术支持。对于需要高功率和高效率的应用场景,HY15P03C2无疑是一个理想的解决方案。