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HYG090ND06LS1C2 产品实物图片
HYG090ND06LS1C2 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

HYG090ND06LS1C2

商品编码: BM0224595693
品牌 : 
HUAYI(华羿微)
封装 : 
PDFN5x6-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 60W 60V 56A 2个N沟道 PDFN-8(5.2x5.9)
库存 :
100(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.26
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.26
--
100+
¥1.25
--
1250+
¥1.24
--
2500+
¥1.23
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

HYG090ND06LS1C2参数

功率(Pd)60W反向传输电容(Crss@Vds)39pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12.2mΩ@4.5V,20A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)18.5nC@10V
漏源电压(Vdss)60V类型2个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)926pF连续漏极电流(Id)56A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA

HYG090ND06LS1C2手册

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HYG090ND06LS1C2概述

产品概述:HYG090ND06LS1C2

一、基本信息

HYG090ND06LS1C2是一款高效能的N沟道场效应管(MOSFET),其额定功率为60W,电压可达60V,最大漏电流为56A。产品采用PDFN-8封装,尺寸为5.2mm x 5.9mm,具有出色的散热性能和电气特性,适合多种电子应用。

二、产品特性

  1. 高效能:该MOSFET具有低导通电阻(R_DS(on)),能够有效降低功耗,提高系统的整体效率。其卓越的热管理能力使其在高负载条件下能长时间稳定运行。

  2. 宽电压范围:产品能够支持高达60V的工作电压,使其适用于多种中高压应用场景,如电源管理模块和电机驱动。

  3. 高电流处理能力:以56A的最大漏电流,HYG090ND06LS1C2能够满足高电流应用的需求,适合用于高效能开关电源、DC-DC转换器等。

  4. 小型化设计:采用PDFN-8封装,该产品占用空间小,可便于在空间有限的应用中使用,尤其适合便携式设备和密集电路板设计。

  5. 良好的热性能:该MOSFET的封装设计优化了热管理,使得产品在工作时产生的热量能迅速散发,降低了元件过热的风险。

三、应用场景

HYG090ND06LS1C2适用于多种电子产品和系统,主要包括但不限于以下领域:

  1. 电源管理:在开关电源及其他电力转换应用中,该MOSFET可用于高效能的功率控制,减少能量损耗,提高电源转化效率。

  2. 电机控制:HYG090ND06LS1C2能够在高电流和高频率下进行可靠开关,因此适合用于电机驱动器和伺服控制系统。

  3. DC-DC转换器:在各种DC-DC转换器中,MOSFET的先进特性可实现高效的电压转换,满足不同负载下的需求。

  4. 快速开关应用:由于其快速的开关特性,HYG090ND06LS1C2还适用于需要高频开关的应用,如LED驱动、RF放大器等。

  5. 便携式设备:产品的小型化和高效性能,使其在便携式电子设备,尤其是移动电话、平板电脑及其他消费电子设备中有着广泛的应用。

四、总结

HYG090ND06LS1C2是华羿微(HUAYI)推出的一款高性能N沟道场效应管,以其卓越的电气特性、可靠的热性能和紧凑的封装设计,成为各类电力电子应用中的优良选择。无论是在电源管理、电机控制还是DC-DC转换器等领域,该MOSFET都可以为设计工程师提供令人满意的解决方案,帮助其实现高效能和高稳定性的产品设计。凭借其极高的性价比,HYG090ND06LS1C2定将成为市场上极具竞争力的一款电子元件。