功率(Pd) | 60W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 39pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12.2mΩ@4.5V,20A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 18.5nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 2个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 926pF | 连续漏极电流(Id) | 56A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
HYG090ND06LS1C2是一款高效能的N沟道场效应管(MOSFET),其额定功率为60W,电压可达60V,最大漏电流为56A。产品采用PDFN-8封装,尺寸为5.2mm x 5.9mm,具有出色的散热性能和电气特性,适合多种电子应用。
高效能:该MOSFET具有低导通电阻(R_DS(on)),能够有效降低功耗,提高系统的整体效率。其卓越的热管理能力使其在高负载条件下能长时间稳定运行。
宽电压范围:产品能够支持高达60V的工作电压,使其适用于多种中高压应用场景,如电源管理模块和电机驱动。
高电流处理能力:以56A的最大漏电流,HYG090ND06LS1C2能够满足高电流应用的需求,适合用于高效能开关电源、DC-DC转换器等。
小型化设计:采用PDFN-8封装,该产品占用空间小,可便于在空间有限的应用中使用,尤其适合便携式设备和密集电路板设计。
良好的热性能:该MOSFET的封装设计优化了热管理,使得产品在工作时产生的热量能迅速散发,降低了元件过热的风险。
HYG090ND06LS1C2适用于多种电子产品和系统,主要包括但不限于以下领域:
电源管理:在开关电源及其他电力转换应用中,该MOSFET可用于高效能的功率控制,减少能量损耗,提高电源转化效率。
电机控制:HYG090ND06LS1C2能够在高电流和高频率下进行可靠开关,因此适合用于电机驱动器和伺服控制系统。
DC-DC转换器:在各种DC-DC转换器中,MOSFET的先进特性可实现高效的电压转换,满足不同负载下的需求。
快速开关应用:由于其快速的开关特性,HYG090ND06LS1C2还适用于需要高频开关的应用,如LED驱动、RF放大器等。
便携式设备:产品的小型化和高效性能,使其在便携式电子设备,尤其是移动电话、平板电脑及其他消费电子设备中有着广泛的应用。
HYG090ND06LS1C2是华羿微(HUAYI)推出的一款高性能N沟道场效应管,以其卓越的电气特性、可靠的热性能和紧凑的封装设计,成为各类电力电子应用中的优良选择。无论是在电源管理、电机控制还是DC-DC转换器等领域,该MOSFET都可以为设计工程师提供令人满意的解决方案,帮助其实现高效能和高稳定性的产品设计。凭借其极高的性价比,HYG090ND06LS1C2定将成为市场上极具竞争力的一款电子元件。