HYG080N10LS1C2

HYG080N10LS1C2 产品概述

一、概述

HYG080N10LS1C2 是一款高性能的 N 沟道场效应管（MOSFET），由华羿微（HUAYI）生产，封装采用 PDFN5x6-8L（TDFN-8）形式。该器件的额定参数为 71W 的功耗，最高工作电压为 100V，最大连续漏电流可达 65A。这些性能使其适用于各种高效能的电源管理和开关应用，包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和电源系统等。

二、特点

1. 高效率设计：HYG080N10LS1C2 的低 RDS(on) 值确保在开关状态下的功耗最小化，这对提高整体电路效率至关重要，特别是在高频开关应用中表现更加突出。

2. 宽工作范围：该器件的 100V 额定电压能够满足大多数工业和消费电子产品的需求，同时 65A 的漏电流能力也使其可以处理更高功率的负载。

3. 紧凑封装：PDFN5x6-8L 封装为设计师提供了小尺寸的空间利用方案，适合那些对空间高度敏感的应用，同时也有利于散热和电性能的提升。

4. 卓越的热性能：该 MOSFET 设计有助于快速散热，有助于稳定性能，降低由于过热引起的故障风险。

5. 易于驱动：HYG080N10LS1C2 提供良好的栅极驱动特性，可以用常见的逻辑电平信号直接驱动，实现简化的控制电路。

三、应用领域

HYG080N10LS1C2 MOSFET 的广泛应用包括但不限于：

1. DC-DC 转换器：在开关电源设计中作为主开关元件，通过高效的开关性能提升整体系统效率。

2. 电机驱动应用：能够实现高效电机控制，特别是在需要高电流的无刷直流电机（BLDC）驱动系统中，提供稳定的驱动信号。

3. 负载开关：在各种消费电子设备中用作负载开关，能有效地实现功率控制，延长设备使用寿命。

4. 电源管理：在高功率LED驱动、电池管理系统中进行电流的高效切换与控制。

5. 逆变器：广泛应用于光伏逆变器和电池逆变器等清洁能源领域，提供稳定高效的开关性能，降低能耗。

四、技术参数

• 最大漏极-源极电压 (VDS): 100V
• 最大连续漏电流 (ID): 65A
• 额定功率 (PD): 71W
• 栅极扭转电压 (VGS): ±20V
• 字符串阻抗 (RDS(on)): 指出其特殊阻抗值，会在产品数据手册中明确标示。

五、总结

HYG080N10LS1C2 是华羿微推出的一款具有卓越性能的 N 沟道 MOSFET，凭借其高功率承受能力、低导通阻抗以及紧凑的封装设计，使其成为现代电源管理和开关控制应用的理想选择。其广泛的应用场景以及良好的热性能使其在高频率、高功率的电子设备中大放异彩，是电子设计工程师在设计中的可靠伙伴。无论是在工业设备、消费电子还是新能源领域，HYG080N10LS1C2 都能够提供高效能的解决方案。