功率(Pd) | 60W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 90nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.679nF | 连续漏极电流(Id) | 40A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
HYG210P06LQ1D是华羿微(HUAYI)推出的一款高性能场效应管(MOSFET)。该产品采用TO-252封装,具备P沟道特性,最大持续工作功率达60W,额定工作电压为60V,最大漏极电流可达到40A。这使得HYG210P06LQ1D在许多应用场景中成为理想的选择,特别是在需要高电流和高效率的情况下。
高功率与高电流承载能力: HYG210P06LQ1D支持最大功率60W,能在各种负载压力下稳定工作。其40A的最大负载电流保证了其在高功率应用中的可靠性,适用于如电源管理、电动机驱动等高功率场合。
高电压应用: 该MOSFET的最大工作电压为60V,能够在各种高电压应用中运行,如电源转换、DC-DC变换器、电池管理等场合。这使其能配合多种电源系统,增强系统的稳定性和安全性。
优良的开关特性: HYG210P06LQ1D拥有快速开关特性,低导通电阻和极小的漏电流,确保其在快速开关电路中的高效工作。这样的特性不仅提高了转换效率,还极大地减少了热量的产生。
可靠的封装设计: TO-252封装设计为该MOSFET提供了良好的散热性能与机械强度,适用于各种复杂的电路板设计环境。该封装还使得制造和焊接过程更加便捷,为大规模生产提供了便利。
强大的抗干扰性: HYG210P06LQ1D采用特殊设计,具有优良的电磁干扰(EMI)抵抗能力,能够确保其在高频和高噪声的电气环境中稳定工作,这对于现代电子设备至关重要。
HYG210P06LQ1D的应用范围广泛,涵盖多个领域,包括但不限于:
HYG210P06LQ1D作为华羿微推出的一款高规格P沟道场效应管,其在功率承载、开关速度及电压耐受性等多个方面表现优异,尤其适合高功率、高效能的应用场景。凭借其优良的性能和可靠的封装设计,HYG210P06LQ1D势必能在未来广泛的电子产品与系统中发挥重要作用,为各类应用实现更高的能效与可靠性。对于设计工程师和应用开发者来说,选择HYG210P06LQ1D将是提升产品品质和市场竞争力的明智之选。