功率(Pd) | 83.3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 153pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,20A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 73nC |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.744nF@0V | 连续漏极电流(Id) | 95A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
HYG053N10NS1C2是由华羿微(HUAYI)生产的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),它主要应用于功率电子设备和电源管理系统。该元器件具备高效的电流处理能力和出色的开关性能,能满足现代电子设备对效率、耐压和负载能力的高要求。以下是该产品的详细概述。
HYG053N10NS1C2采用PDFN-8(5x6)封装,这种紧凑型封装设计在功率密度和热管理方面表现良好。其面积为5x6mm,厚度适中,适合用于高集成度及有限空间的电子设备中。同时,PDFN封装的低热阻特性有助于提高散热效率,确保器件在高负载下稳定运行。
HYG053N10NS1C2广泛应用于以下几个领域:
HYG053N10NS1C2是一款具有高性能和高可靠性的N沟道MOSFET,凭借其优秀的电气特性、适应性和较低的功耗,成为现代功率电子领域的理想选择。在选用场效应管时,HYG053N10NS1C2能够在提高产品性能和降低能耗之间找到良好平衡,能够满足用户在多种应用场景中的需求。
总之,华羿微的HYG053N10NS1C2是高效、可靠的元器件选择,能够为设计师和工程师提供支持,推动高性能电子设备的发展。无论是用于高压电源管理,还是电动汽车和工业控制应用,HYG053N10NS1C2都展示了其卓越的技术水平和市场竞争力。