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HYG053N10NS1C2 产品实物图片
HYG053N10NS1C2 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

HYG053N10NS1C2

商品编码: BM0223220247
品牌 : 
HUAYI(华羿微)
封装 : 
PDFN5x6-8L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 83.3W 100V 95A 1个N沟道 PDFN-8(5x5.8)
库存 :
109(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.54
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.54
--
100+
¥1.53
--
1250+
¥1.52
--
2500+
¥1.51
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

HYG053N10NS1C2参数

功率(Pd)83.3W反向传输电容(Crss@Vds)153pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.6mΩ@10V,20A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)73nC
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)3.744nF@0V连续漏极电流(Id)95A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

HYG053N10NS1C2手册

HYG053N10NS1C2概述

HYG053N10NS1C2 产品概述

HYG053N10NS1C2是由华羿微(HUAYI)生产的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),它主要应用于功率电子设备和电源管理系统。该元器件具备高效的电流处理能力和出色的开关性能,能满足现代电子设备对效率、耐压和负载能力的高要求。以下是该产品的详细概述。

1. 关键参数

  • 功率: HYG053N10NS1C2能够处理高达83.3W的功率,适合高效率且低能耗的应用。
  • 耐压: 此设备的最大耐压为100V,能够承受一定的电压波动而不发生击穿,这使得它在高压应用环境中表现出色。
  • 电流: 支持高达95A的持续电流,这使得HYG053N10NS1C2适用于大功率负载需求场景,如电机驱动、电源转换、DC-DC变换器等。

2. 封装与尺寸

HYG053N10NS1C2采用PDFN-8(5x6)封装,这种紧凑型封装设计在功率密度和热管理方面表现良好。其面积为5x6mm,厚度适中,适合用于高集成度及有限空间的电子设备中。同时,PDFN封装的低热阻特性有助于提高散热效率,确保器件在高负载下稳定运行。

3. 性能特点

  • 开关速度: HYG053N10NS1C2具有较快的开关速度,有效减少开关损耗,提升整体效率,适用于高频开关电源等应用。
  • 导通电阻: 相对较低的导通电阻(Rdson)可以有效地降低在导通状态下的功耗,提升整体的功率转换效率,减少热量产生。
  • 热特性: 优异的热特性设计使得该器件在高压和高电流运作时,能够持续稳定地维持在安全工作温度范围内,保证其长期可靠性。

4. 应用场景

HYG053N10NS1C2广泛应用于以下几个领域:

  • 电源管理: 在开关电源(SMPS)和DC-DC变换器中,作为开关管使用,以提高能量转换效率和稳定性。
  • 电动汽车: 在电动汽车的驱动控制系统中,能够有效控制电动机的运行状态,支持快速的开关操作。
  • 工业控制设备: 在各类工业自动化设备中,作为驱动和控制元件,确保设备在各种复杂环境下的可靠运行。
  • 家用电器: 在智能家居设备中,用于电源转换和控制,提升家电的智能化水平与能源效率。

5. 综合评价

HYG053N10NS1C2是一款具有高性能和高可靠性的N沟道MOSFET,凭借其优秀的电气特性、适应性和较低的功耗,成为现代功率电子领域的理想选择。在选用场效应管时,HYG053N10NS1C2能够在提高产品性能和降低能耗之间找到良好平衡,能够满足用户在多种应用场景中的需求。

总之,华羿微的HYG053N10NS1C2是高效、可靠的元器件选择,能够为设计师和工程师提供支持,推动高性能电子设备的发展。无论是用于高压电源管理,还是电动汽车和工业控制应用,HYG053N10NS1C2都展示了其卓越的技术水平和市场竞争力。