HYG025N06LS1C2
HYG025N06LS1C2参数
| 功率(Pd) | 130W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 10.2pF |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.1mΩ@10V |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 59.5nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.915nF@0V | 连续漏极电流(Id) | 170A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
HYG025N06LS1C2手册
HYG025N06LS1C2概述
HYG025N06LS1C2 产品概述
产品名称: HYG025N06LS1C2
类型: N沟道场效应管 (MOSFET)
品牌: HUAYI (华羿微)
封装形式: PDFN5x6-8L
功率等级: 130W
电压等级: 60V
电流等级: 170A
一、产品背景
在现代电子设备中，场效应管（MOSFET）作为一种重要的开关元件，广泛应用于电源管理、功率放大、电子开关等多个领域。HYG025N06LS1C2是华羿微公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，设计用于高效率的电源转换和控制。凭借其优越的电气特性和可靠的热管理能力，这款MOSFET成为高功率应用的理想选择。
二、主要特性
高性能: HYG025N06LS1C2具备高达170A的持续电流能力和130W的功耗等级，在60V的工作电压下展现出卓越的性能。这使其能够在要求严格的应用中有效工作，如电机驱动、电源转换器等。
低导通电阻: 该MOSFET的低Rds(on)特性减小了导通损耗，提升了整体能效，并在开关频率较高的应用中保持良好的热稳定性。
优秀的热管理: 其DFN-8(5.2x5.9)封装设计有助于快速散热，降低管体温度，确保在高负载条件下的稳定工作。这一特性使得HYG025N06LS1C2在高温环境中仍能保持可靠性。
高开关速度: HYG025N06LS1C2能够以较快的速度从导通状态切换至关断状态，适用于高频开关电路，提升了整体系统性能。
兼容性强: 该产品的设计符合当前市场主流应用需求，能够兼容多种电子电路设计，使其在不同的产品中有广泛的应用空间。
三、应用领域
HYG025N06LS1C2作为一款高功率、高效率的MOSFET，适用于以下领域：
电源管理: 包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和线性电源，能够提供稳定的电源输出，广泛应用于消费电子、工业设备及通讯设备中。
电机驱动: 适用于各种电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）、步进电机驱动器，能够实现高效能的马达调速和控制。
汽车电子: 在电动车辆和传统汽车中，该MOSFET可用于动力转换、充电管理和能量回收系统，帮助提高能量利用效率。
可再生能源系统: 在太阳能逆变器和风能转换系统中，HYG025N06LS1C2能够有效提高电能转换效率，帮助实现绿色能源应用。
四、总结
HYG025N06LS1C2 N沟道MOSFET凭借其卓越的电气特性和良好的散热管理，为各种高功率应用提供了可靠的解决方案。无论是在电源管理、电机驱动，还是在汽车及可再生能源系统中，这款MOSFET都能有效提升设备性能，推动电子技术的创新与发展。选择HYG025N06LS1C2，您将获得高效、稳定的电源解决方案，助力您的产品在竞争中脱颖而出。