圣禾堂在线
SI1308EDL-VB 产品实物图片
SI1308EDL-VB 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI1308EDL-VB

商品编码: BM0223192615
品牌 : 
VBsemi(微碧半导体)
封装 : 
SC-70-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
MOS场效应管 SI1308EDL-VB SC-70-3
库存 :
990(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.47
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.47
--
200+
¥0.303
--
1500+
¥0.263
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI1308EDL-VB参数

商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)36mΩ@10V,4A
漏源电压(Vdss)20V类型1个N沟道
连续漏极电流(Id)4A

SI1308EDL-VB手册

SI1308EDL-VB概述

SI1308EDL-VB 产品概述

品牌与封装概述

SI1308EDL-VB是由微碧半导体(VBsemi)推出的一款高性能电子元器件,采用了SC-70-3封装。SC-70-3是一种小型化的表面贴装器件封装,尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 0.95mm,通常用于空间有限或需要轻量化设计的应用场合。由于其紧凑的结构,SC-70-3非常适合用于移动电子设备、低功耗无线通信设备以及其他高密度电子电路板中。

产品特性

SI1308EDL-VB是一款高效的N通道增强型MOSFET(场效应晶体管),设计上旨在提供优异的开关性能和低导通电阻。该器件主要面对高频率、高效率的开关电源和其他功率管理应用。产品具有以下几个核心特性:

  1. 低导通电阻(RDS(on)小于1Ω):当MOSFET导通时,其内部电阻极小,这使得在高电流应用中损失更小,提高电源的整体效率。

  2. 高击穿电压(V(BR)DS):本器件支持较高的源-漏击穿电压,适用于多种电压范围的应用,同时保证高可靠性。

  3. 快速开关特性:SI1308EDL-VB具备优良的开关速度,能够在高速操作中减少能量浪费及热量产生,使其在各种动态负载条件下表现出色,为电路设计带来更高的灵活性。

  4. 低栅极驱动电压:可在较低的栅极电压下驱动并实现良好的上升与下降时间,简化了驱动电路设计并有助于降低整体能耗。

  5. 适应性广泛:适用于各种应用场景,如开关电源、LED驱动、逆变器、DC-DC转换器等,展示出极强的多功能性与适用性。

应用领域

得益于其高性能特性和高集成度,SI1308EDL-VB广泛应用于多个领域。主要应用包括,但不限于:

  • 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,均对功耗和散热管理有较高要求,SI1308EDL-VB的低导通电阻和快速开关能力恰好满足这些需求。

  • 电源管理:在计算机及网络设备中,该器件被广泛应用于DC-DC转换器和电源分配网络,通过其高效的开关特性实现出色的能量转换效率。

  • LED驱动电路:在LED驱动应用中,SI1308EDL-VB可用作开关元件来实现电流调节,确保LED稳定工作并延长其使用寿命。

  • 汽车电子:随着电动汽车的普及和对智能汽车电子的需求增加,SI1308EDL-VB可以用于马达驱动、灯光控制等系统,为这些应用带来更好的能效与稳定性。

总结

综上所述,SI1308EDL-VB凭借其出色的电气特性、紧凑的封装和广泛的适用性,成为了现代电源管理和电子设备设计中不可或缺的元器件之一。无论是在高频高速的电源系统,还是在低功耗便携设备中,该器件均能展现出色的性能,满足设计工程师对效率、尺寸和可靠性的苛刻要求。微碧半导体凭借其在半导体领域的创新与经验,持续为客户提供卓越的解决方案,并推动行业的进步与发展。