功率(Pd) | 1.1W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 22pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 56mΩ@2.5V,3A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 289pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 4.1A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
JMTL3415KL 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),旨在为各种电子应用提供出色的开关控制和功率管理能力。该元器件采用 SOT-23 封装,是一款兼具小巧体积与高效能的电力半导体,适用于大众消费电子、工业控制、电源管理和电动汽车等领域。
高集成度: SOT-23 封装使得 JMTL3415KL 在维持良好电气性能的同时,能够有效节省电路板空间,非常适合紧凑型和便携式设备。
低导通电阻: 该 MOSFET 在开启状态下具有低导通电阻,能够降低功率损耗,提高整体能效,适合用于高频开关电源和电流开关应用。
优异的热性能: JMTL3415KL 具备较好的热管理性能,能够在较高温度条件下稳定工作,提升了元器件的可靠性和使用寿命。
良好的开关特性: MOSFET 具有快速的开关速度,可以在短时间内完成电流的切换,适合高频率的工作环境,对提升开关电源的效率至关重要。
耐高温性能: 在高温环境下仍能可靠工作,满足各种工业应用的需求。
JMTL3415KL 适用于多种应用场景,包括但不限于:
凭借其优异的电气性能和可靠的质量,JMTL3415KL 在市场上具备强大的竞争力。其多功能性及应用的灵活性,使得该 MOSFET 成为设计工程师的理想选择。
综合来看,JMTL3415KL P 沟道 MOSFET 是一款出色的电子元器件,凭借其小巧的 SOT-23 封装、高效率的功率管理以及优越的热性能,确保了它在现代电子设计中的广泛应用。无论是在高频电源、工业控制还是消费电子产品中,JMTL3415KL 都能满足严格的性能要求,为工程师提供高效、可靠的解决方案。选择 JMTL3415KL,您将收获更高效率的设计及更优质的用户体验。