晶体管类型 | 2 NPN(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 350mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | DFN1010B-6 |
BC847QASZ 是一款高性能的 NPN 三极管,专为需要低功耗和高效率的电子应用而设计。其基本参数和特性使其成为广泛应用于信号放大和开关电路的重要组件。由 Nexperia(安世半导体)制造,BC847QASZ 提供了强大的电气性能和可靠的工作环境,适合在苛刻条件下使用。
晶体管类型:BC847QASZ 为 NPN 类型三极管,能够有效地转换和放大电流。其电流特性使其在多种应用场景下表现优越。
电流 - 集电极 (Ic):其最大集电极电流 (Ic) 为 100mA,这意味着它可以处理相对较大的电流,适合于各种信号处理和开关任务。
电压 - 集射极击穿(最大值):BC847QASZ 的最大集射极击穿电压为 45V,使其在高电压环境下依然能够可靠工作。在设计高压电路时,这种特性尤为重要。
直流电流增益 (hFE):在 Ic 为 2mA 和 Vce 为 5V 的条件下,其 DC 电流增益 (hFE) 最小值为 200,适合于对增益要求较高的应用,如音频放大和其他模拟信号处理。
饱和压降 (Vce):在 Ic 为 100mA 和 Ib 为 5mA 的情况下,饱和压降(Vce)最大值为 300mV。这意味着在集电极输出能力达到最大时,电压损失非常小,从而提高了整体电源效率。
功率 - 最大值:BC847QASZ 的最大功率额定为 350mW,能够承受高功率工作状态而不损坏,适合在高负载情况下使用。
频率 - 跃迁:该三极管的频率跃迁达到 100MHz,使其在高速切换和信号处理应用中表现出色。特别是在射频和高频应用中,持续的频率响应确保了信号的完整性。
工作温度:其工作温度可达到 150°C,提供了良好的热稳定性,适合于高温和严酷的环境中使用。
安装类型:BC847QASZ 采用表面贴装(SMD)式的封装设计,便于自动化设备的组装。它的封装类型为 DFN1010B-6,尺寸为 6 X 10 mm(1 x 1 mm),适合于小型化电子产品的设计和制作。
BC847QASZ 的广泛应用场合包括但不限于:
信号放大:其高增益特性使其非常适合用于音频放大和射频放大器。
开关电路:由于其低饱和压降和高电流处理能力,BC847QASZ 可以应用于高效能开关电路,如LED驱动和电源控制。
电流延迟:在定时和延迟电路中,BC847QASZ 可以帮助实现准确的时间控制。
混合信号处理:用于音频设备、射频模块及其他混合信号电路中,是设计师的优选部件。
BC847QASZ 作为一款功能强大的 NPN 三极管,为设计师提供了卓越的电气性能,包括高集电极电流和出色的频率响应。其耐高温、低功耗的特点使其在众多电子应用中具备极高的适用性,尤其适合于现代微型化、性能优化的电子设备中,无论是消费类电子产品、通信模块,还是工业控制系统。Nexperia(安世)无疑提供了一款高可靠性和高性价比的产品,值得广大工程师和设计师使用。