功率(Pd) | 25W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 83pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.8mΩ@4.5V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 17nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.229nF | 连续漏极电流(Id) | 30A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
AON7516 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),其主要规格包括:额定功率为 3.1W,最大功率可达 25W,工作电压为 30V,最大电流可达 30A,额定连续电流为 20A。该器件采用小型化的 DFN-8-EP(3x3mm)封装,适合于众多需要高效能和小尺寸的应用场景。
高效率与低导通电阻:AON7516 在其规格范围内提供了相对较低的 R_DS(on) 直流电阻。这意味着在工作时它能够显著降低能量损耗,提升整体电路的效率,尤其是在高负载情况下,这一点尤为重要。
耐高温性能:该 MOSFET 可以在较高的温度环境中可靠工作,确保其在品控和使用中的稳定性,因此非常适合工业应用和汽车电子领域。
快速开关能力:AON7516 拥有较快的开关速度,使其在开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等高频应用中表现出色。良好的频率响应特性使其在开关应用中能够有效降低开关损耗,从而提高整体系统的效率。
小型化的封装设计:采用 DFN-8-EP(3x3mm)封装,有助于节省板级空间,适用于现代电子设备对尺寸的严苛要求。在手持设备、移动电子产品和紧凑型电源模块中表现出色。
AON7516 适用于多种应用场景,主要包括但不限于以下几个方面:
开关电源:在各类 DC-DC 转换器中,作为主开关元件使用。其高开关频率和小导通电阻,使得能量转换过程更加高效。
电动汽车和混合动力汽车:电动驱动系统、功率转换和电池管理中,AON7516 的高电流承载能力和热管理特性使其成为适合的选择。
消费电子产品:在智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,作为电源管理的关键元件,优化电路的效率,延长电池续航时间。
工业控制系统:在机器人技术、工控设备中,作为驱动和控制开关,确保设备在高负载和快速响应下可以稳定工作。
LED 驱动:适用于 LED 照明系统中的驱动电路,能够实现高效的光源驱动。
在选用 AON7516 作为设计方案的一部分时,需要考虑以下因素:
AON7516 作为一款高性价比的 N 沟道场效应管,以其出色的电气特性和小型封装,满足现代电子设备对性能、效率和空间的要求。无论在消费电子、工业控制,还是汽车电子领域,AON7516 都凭借其稳定性和高效能为设计者提供广泛的适用性与灵活性,是电子元器件设计中的一项理想选择。