功率(Pd) | 2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 200pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 46nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.78nF@0V | 连续漏极电流(Id) | 10A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@12A |
AO4407是一种高性能的P沟道MOSFET,具有出色的电气特性和高可靠性,在多种应用场景中都能提供卓越的性能。该器件能够承受高达30V的漏极-源极电压,并支持最大12A的漏极电流,适合用于功率管理、开关电源、直流-直流转换器等多种电源转换场合。此外,AO4407采用SOP-8封装设计,能够有效节省电路板空间,方便集成与安装,适合需要高密度布置的电子设备。
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种采用电场效应控制电流的半导体器件。P沟道MOSFET的主要特点是控制电流的方式与N沟道相反。当栅极电压低于源极电压时,P沟道MOSFET导通,允许电流从漏极流向源极。AO4407的设计优化了导通电阻(Rds(on)),使其在导通时具有低功耗和高效率,这一特性对于高频和大电流应用尤为重要。
低导通电阻: AO4407具有较低的导通电阻(Rds(on)),这在开关频率高的应用下尤其重要,可以减少功耗并提高效率。
高耐压能力: 此MOSFET设计承受高达30V的电压,使其在多种电源电路中可靠运行。
高速开关特性: AO4407具备快速开关能力,特别适合于开关电源或其它需要频繁开关操作的应用。
热稳定性好: 该器件的最大工作温度范围从-55°C到+150°C,确保在极端环境下可靠运行。
AO4407广泛应用于以下领域:
与同类产品相比,AO4407在导通电阻、开关速度和热稳定性等关键指标上均表现突出,此外其经济高效的定价也为其在市场上赢得了良好的口碑。结合其广泛的应用领域,AO4407成为了设计师和工程师们在选择P沟道MOSFET时的优先考虑。
AO4407无疑是现代电子设计中的一款重要元件,凭借其卓越的性能和多功能性,广泛适用于各种高效电源和驱动应用。无论是在高效能的电源产品中,还是在复杂的控制系统中,AO4407都能发挥不可或缺的作用,为电路的稳定与高效运行提供支持。在设计电路时,选择AO4407将为您的项目带来显著的性能提升和能效保障。