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AO4407 产品实物图片
AO4407 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO4407

商品编码: BM0222743095
品牌 : 
ElecSuper(静芯微)
封装 : 
SOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 12A 1个P沟道 SOP-8
库存 :
2400(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.606
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.606
--
200+
¥0.418
--
1500+
¥0.38
--
3000+
¥0.355
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4407参数

功率(Pd)2W反向传输电容(Crss@Vds)200pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.5mΩ@10V
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)46nC@10V
漏源电压(Vdss)30V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.78nF@0V连续漏极电流(Id)10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@12A

AO4407手册

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AO4407概述

AO4407 产品概述

一、产品简介

AO4407是一种高性能的P沟道MOSFET,具有出色的电气特性和高可靠性,在多种应用场景中都能提供卓越的性能。该器件能够承受高达30V的漏极-源极电压,并支持最大12A的漏极电流,适合用于功率管理、开关电源、直流-直流转换器等多种电源转换场合。此外,AO4407采用SOP-8封装设计,能够有效节省电路板空间,方便集成与安装,适合需要高密度布置的电子设备。

二、技术规格

  • 类型: P沟道MOSFET
  • 漏极-源极电压(Vds): 30V
  • 最大漏极电流(Id): 12A
  • 功耗(Pd): 3.1W
  • 封装类型: SOP-8
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C

三、工作原理

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种采用电场效应控制电流的半导体器件。P沟道MOSFET的主要特点是控制电流的方式与N沟道相反。当栅极电压低于源极电压时,P沟道MOSFET导通,允许电流从漏极流向源极。AO4407的设计优化了导通电阻(Rds(on)),使其在导通时具有低功耗和高效率,这一特性对于高频和大电流应用尤为重要。

四、关键特性

  1. 低导通电阻: AO4407具有较低的导通电阻(Rds(on)),这在开关频率高的应用下尤其重要,可以减少功耗并提高效率。

  2. 高耐压能力: 此MOSFET设计承受高达30V的电压,使其在多种电源电路中可靠运行。

  3. 高速开关特性: AO4407具备快速开关能力,特别适合于开关电源或其它需要频繁开关操作的应用。

  4. 热稳定性好: 该器件的最大工作温度范围从-55°C到+150°C,确保在极端环境下可靠运行。

五、应用场景

AO4407广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 在开关电源电路中,MOSFET承担着开关控制的重要角色,确保电源的高效性和稳定性。
  • 电机驱动: 可以用于直流电机驱动电路,为伺服电机或步进电机提供有效的开关控制。
  • 电池管理系统: 在电池充放电管理中,P沟道MOSFET可用于连接或断开电池与负载的电路,确保电池的安全使用。
  • LED驱动电路: AO4407可以高效驱动LED灯具,调节亮度并延长使用寿命。

六、竞争优势

与同类产品相比,AO4407在导通电阻、开关速度和热稳定性等关键指标上均表现突出,此外其经济高效的定价也为其在市场上赢得了良好的口碑。结合其广泛的应用领域,AO4407成为了设计师和工程师们在选择P沟道MOSFET时的优先考虑。

七、总结

AO4407无疑是现代电子设计中的一款重要元件,凭借其卓越的性能和多功能性,广泛适用于各种高效电源和驱动应用。无论是在高效能的电源产品中,还是在复杂的控制系统中,AO4407都能发挥不可或缺的作用,为电路的稳定与高效运行提供支持。在设计电路时,选择AO4407将为您的项目带来显著的性能提升和能效保障。