功率(Pd) | 1.2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 50pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@2.5V,3A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 470pF@0V | 连续漏极电流(Id) | 4A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 750mV@250uA |
SI2300 是一款由 ElecSuper(静芯微)制造的 N 沟道场效应管 (MOSFET),其工作特性优良,适用于多种电子应用。该产品封装为 SOT-23,具有良好的散热性能和体积小巧的优势,适合空间有限的电路设计。其额定功率为 350mW,最大耐压可达到 20V,最大连续电流为 6A,使得 SI2300 在低压、高效率的应用场合表现出色。
N 沟道设计:作为 N 沟道 MOSFET,SI2300 在开关速度、导通电阻和导通能力上提供了优于 P 沟道的性能。它在开启期间可以提供较低的导通电阻(R_DS(on)),从而降低能量损耗和热量产生。
功率额定值:SI2300 的最大功率额定值为 350mW,使其能够有效驱动各种负载,尤其是在低功耗的电源管理和负载开关应用中。
电压与电流能力:其耐压最高可达 20V,最大连续电流为 6A,确保了其在较高负载情况下的稳定性。这些特性使其适用于多种电器和电子设备,如开关电源、电动马达驱动和LED照明等。
封装形式:SOT-23 封装设计,全封闭的结构不仅便于自动化生产线的焊接,还提升了产品的电性能和耐用性,适合大规模集成的消费电子产品和工业设备。
电源管理: SI2300 在直流-直流转换器中用作开关元件以调节电流和电压,尤其是在低功率电源模块中具有优秀的表现。
开关控制: 该器件适合用作电源开关控制,广泛应用于家电、计算机和其它消费类电子产品的开关电源系统中。
电动机驱动: 在电动工具和电机驱动系统中,SI2300 可用作高效的开关元件,有助于提升系统的工作效率和响应速度。
LED照明: 在LED驱动模块中,SI2300可以有效控制LED的开关,保证其高效稳定运行,确保亮度的一致性。
逻辑电压:SI2300 在较低的控制电压下(如 2.5V 和 4.5V)依旧能够保持较低的导通电阻,便于与微控制器直接配合使用。
导通电阻:在较低的栅极电压下,SI2300 的 R_DS(on) 通常在几十毫欧的范围内,这使得其在开关状态下能量损耗极低。
热特性:得益于其优良的热管理特性,SI2300 在长期使用中表现稳定,适合高温环境下运行。
SI2300 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,凭借其高效的电流处理能力、优秀的热性能和小巧的封装,广泛应用于电源管理、开关控制、电机驱动及LED照明等领域。ElecSuper(静芯微)以其可靠的产品质量和良好的客户服务,致力于为全球电子工程师提供最佳的解决方案。无论是在烧录新产品的开发阶段,还是在大规模生产中,SI2300 都能够满足各类应用需求,实现高效能和经济效益的平衡。