工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 技术 | SRAM - 异步 |
访问时间 | 45ns | 写周期时间 - 字,页 | 45ns |
存储容量 | 8Mb (512K x 16) | 存储器接口 | 并联 |
存储器格式 | SRAM | 存储器类型 | 易失 |
安装类型 | 表面贴装型 | 电压 - 供电 | 2.2V ~ 3.6V |
一、产品基本信息
IS62WV51216EBLL-45TLI 是一款高性能的异步静态随机存取存储器(SRAM),具有8Mb的存储容量(512K x 16位),采用44-T SOP II封装,适合于高密度和高速度的应用需求。在工作温度范围内(-40°C至85°C),其稳定的性能使其成为各种电子设备和系统中大容量、快速存取存储的理想选择。
二、关键参数及特点
存储容量与结构
IS62WV51216EBLL-45TLI 提供8Mb的存储容量,采用512K x 16位的存储结构,能够有效地存储大量的数据。这种结构适合数字信号处理、图像处理、网络设备等应用领域。
访问时间与写周期
本产品的访问时间为45ns,写周期时间同样为45ns,这保证了数据的快速读取与写入,满足高频率数据处理的要求。这种快速的访问响应能有效提高系统的处理速度,尤其在需要快速数据缓存的场合,展现出极大的优势。
电源电压范围
IS62WV51216EBLL-45TLI 的供电电压为2.2V至3.6V,适合多种低功耗设备使用。这一电压范围使其在便携式设备和电池供电的应用场景中具有良好的兼容性。
易失性存储
作为一种易失性存储器,IS62WV51216EBLL-45TLI 在断电后存储的数据将会丢失,因此在设计中需合理安排非易失性存储器与其配合使用,以确保数据的安全性与完整性。
封装及安装
该产品采用表面贴装型(SMD)TSOP II-44封装,尺寸为10.2mm,设计紧凑,便于在空间有限的电路板上进行安装。这种封装的优势在于提供了更高的集成度,能够有效优化电路板的空间利用。
三、应用领域
由于其高性能特性,IS62WV51216EBLL-45TLI 在多个应用领域表现出色,包括但不限于:
四、与竞争产品的比较
与其他品牌或型号的SRAM产品相比,IS62WV51216EBLL-45TLI 以其优越的访问速度、工作温度范围及电压适应性,满足了高性能低功耗的市场需求。此外,ISSI作为知名的存储器制造商,在品质与可靠性方面的认可,使得该产品在市场上具备较强的竞争力。
五、总结
IS62WV51216EBLL-45TLI 是一款性能卓越、应用广泛的异步SRAM存储器,其45ns的访问时间、广泛的电源电压和丰富的应用场景,使得它成为现代电子设备设计师所青睐的产品之一。其稳定的工作温度范围和紧凑的封装设计,更是增强了其在动态市场中的价值。对于用户而言,选择 IS62WV51216EBLL-45TLI,意味着选择了一种高效、可靠的存储解决方案,将为设备的高效运行提供保障。