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IS61WV51216EDBLL-10TLI 产品实物图片
IS61WV51216EDBLL-10TLI 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IS61WV51216EDBLL-10TLI

商品编码: BM0220929005
品牌 : 
ISSI(美国芯成)
封装 : 
TSOPII-44-10.2mm
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2
库存 :
5(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
42.23
按整 :
托盘(1托盘有135个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥42.23
--
10+
¥42.23
--
1350+
产品参数
产品手册
产品概述

IS61WV51216EDBLL-10TLI参数

存储器类型易失存储器格式SRAM
技术SRAM - 异步存储容量8Mb (512K x 16)
存储器接口并联写周期时间 - 字,页10ns
访问时间10ns电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)供应商器件封装44-TSOP II

IS61WV51216EDBLL-10TLI手册

IS61WV51216EDBLL-10TLI概述

IS61WV51216EDBLL-10TLI 产品概述

1. 产品简介

IS61WV51216EDBLL-10TLI是一款由ISSI(美国芯成)制造的高性能8Mb(512K x 16位)异步SRAM(静态随机存取存储器)。该芯片采用表面贴装型44-TSOP II封装,专为快速存储需求而设计,广泛应用于移动设备、网络设备、车载电子、工业控制等领域。

2. 基本特性

  • 存储类型: 该存储器为易失性存储器,数据在电源关闭后会丢失。
  • 存储容量: 8Mb,具体结构为512K x 16位,适合多种数据存储需求。
  • 接口类型: 采用并联接口,方便与其他电子元器件进行连接和数据传输。
  • 访问时间和写周期: 相对较短的访问时间,10ns,写周期时间也为10ns,使得数据读取和写入操作速度非常快,实现了高效率的数据处理能力。
  • 电压供电范围: 工作电压为2.4V至3.6V,低功耗设计适合对电源要求较高的应用场景。
  • 工作温度范围: 广泛的工作温度范围(-40°C至85°C),确保在各种严苛环境下的可靠性和稳定性。
  • 封装规格: 封装形式为44-TSOP II,尺寸为10.16mm宽,适合现代电子产品的紧凑设计。

3. 技术优势

IS61WV51216EDBLL-10TLI采用异步存储器技术,无需时钟信号来控制读写操作,这意味着在实际应用中更为灵活。同时,由于其访问时间与写周期时间都相对较短,能够有效提升系统的整体性能。这种高性能的特性,使得该存储器在需要快速数据存储和传输的场合表现出色,特别是在实时数据处理应用中。

4. 应用领域

IS61WV51216EDBLL-10TLI适用于多个领域及场景,包括但不限于:

  • 移动设备: 由于其快速的访问时间和低功耗特性,常用于智能手机、平板电脑等移动通信设备中。
  • 网络设备: 如路由器、交换机和其他网络硬件中,该SRAM能够提供快速缓存,支持数据包的快速转发。
  • 工业控制: 在自动化设备和工业控制系统中,该存储器能够快速存储和检索控制指令,确保系统实时反馈。
  • 车载电子: 由于其宽广的工作温度范围,适合在汽车电子设备中使用,如导航系统和车用稳定控制系统。

5. 结论

IS61WV51216EDBLL-10TLI是一个功能强大的存储解决方案,其设计适应了当今电子产品对速度、功耗和可靠性的严格要求。凭借其高性能和广泛的应用潜力,成为了设计师和工程师在选择SRAM解决方案中的优选器件。无论是对于新产品开发,还是对现有系统的升级,其先进的规格和稳定的性能均能满足各种需求,为产品的成功提供保障。