存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | SRAM |
技术 | SRAM - 异步 | 存储容量 | 8Mb (512K x 16) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 10ns |
访问时间 | 10ns | 电压 - 供电 | 2.4V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
IS61WV51216EDBLL-10TLI是一款由ISSI(美国芯成)制造的高性能8Mb(512K x 16位)异步SRAM(静态随机存取存储器)。该芯片采用表面贴装型44-TSOP II封装,专为快速存储需求而设计,广泛应用于移动设备、网络设备、车载电子、工业控制等领域。
IS61WV51216EDBLL-10TLI采用异步存储器技术,无需时钟信号来控制读写操作,这意味着在实际应用中更为灵活。同时,由于其访问时间与写周期时间都相对较短,能够有效提升系统的整体性能。这种高性能的特性,使得该存储器在需要快速数据存储和传输的场合表现出色,特别是在实时数据处理应用中。
IS61WV51216EDBLL-10TLI适用于多个领域及场景,包括但不限于:
IS61WV51216EDBLL-10TLI是一个功能强大的存储解决方案,其设计适应了当今电子产品对速度、功耗和可靠性的严格要求。凭借其高性能和广泛的应用潜力,成为了设计师和工程师在选择SRAM解决方案中的优选器件。无论是对于新产品开发,还是对现有系统的升级,其先进的规格和稳定的性能均能满足各种需求,为产品的成功提供保障。