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TSM250N02CX RFG
品牌 :
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
封装 :
-
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
库存 :
147000(起订量3000,增量3000)
批次 :
2022数量 :
X
0.62985按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
3000+
￥0.62985
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产品参数
产品手册
常见问题
TSM250N02CX RFG参数
| 制造商 | Taiwan Semiconductor Corporation | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.56W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.7nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 535pF @ 10V |
TSM250N02CX RFG手册
TSM250N02CX RFG问题
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