工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 技术 | FRAM(铁电体 RAM) |
存储器接口 | I²C | 安装类型 | 表面贴装型 |
存储器类型 | 非易失 | 存储容量 | 64Kb (8K x 8) |
电压 - 供电 | 3V ~ 5.5V | 存储器格式 | FRAM |
时钟频率 | 1MHz |
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 是富士通(FUJITSU)推出的一款非易失性存储器,基于铁电体随机存取存储器(FRAM)技术。该产品结合了高性能、低功耗,以及出色的数据保留能力,适用于广泛的电子应用场景,包括工业控制、消费电子、智能家居以及物联网设备等。
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 尺寸小巧,存储容量为64Kb,分为8K×8的格式,使其能够有效存储大量数据。铁电体RAM技术的应用使得该产品在读写性能上较传统的闪存和EEPROM具有显著优势,能够实现更快的数据存取,且具有无限次的读写循环,解决了传统非易失性存储器的写入次数限制问题。
该存储器的工作温度范围为-40°C至85°C,确保其在严苛的工业环境中也能够稳定工作。这一特点使得MB85RC64VPNF-G-JNERE1特别适用于需在极端温度下正常运行的应用场景,如汽车电子、环境监测设备等。
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 采用 I²C 接口进行通信,这是一种广泛应用于各种电子设备中的串行通信协议,确保了其与多种微控制器和处理器的兼容性。它的时钟频率高达1MHz,可以满足快速数据传输的需求,极大地提高了系统整体的响应速度。
该产品的供电电压范围为3V至5.5V,使其在多种电源条件下工作都相对灵活。因此,无论是需要低功耗的电池供电装置,还是可以使用更高电压的设备,MB85RC64VPNF-G-JNERE1都能满足其需求。
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 采用 8-SOP(小外形封装)形式,适合表面贴装技术(SMT),可以轻松集成于各种电路板中。这一封装形式不仅节省了空间,使得设计更加紧凑,而且还提高了组件的焊接精度和可靠性。
由于其独特的性能特征,MB85RC64VPNF-G-JNERE1 在多个领域的应用中展现了强大的潜力。主要应用场景包括:
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 是一款具有高性能、高可靠性及广泛应用潜力的非易失性存储器。其独特的FRAM技术结合低功耗、高速度和广泛兼容性,使其成为现代电子设备中不可或缺的存储解决方案。凭借其卓越的特性,该存储器将为各种电子设计提供强大的支持,助力创新和性能的不断提升。