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MMBT5401LT1G 产品实物图片
MMBT5401LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBT5401LT1G

商品编码: BM0093065376
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 150V 500mA PNP SOT-23
库存 :
200819(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.234
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.234
--
200+
¥0.151
--
1500+
¥0.131
--
3000+
¥0.116
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT5401LT1G参数

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 5mA,50mA电压 - 集射极击穿(最大值)150V
晶体管类型PNP频率 - 跃迁300MHz
安装类型表面贴装型不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 10mA,5V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值300mW电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)

MMBT5401LT1G手册

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MMBT5401LT1G概述

产品概述:MMBT5401LT1G PNP 三极管

一、基本信息

产品型号:MMBT5401LT1G
类型:PNP 晶体管 (BJT)
封装类型:SOT-23-3 (TO-236)
品牌:ON Semiconductor (安森美)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C (TJ)
最大功率:300mW
集电极电流最大值:500mA
集射极击穿电压:150V
静态集电极截止电流 (ICBO):50nA
频率 - 跃迁:300MHz
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):500mV @ 5mA,50mA
DC电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V

二、功能与特性

MMBT5401LT1G 是一款高性能的 PNP 型晶体管,广泛用于模拟和数字电路中。该器件具备较高的集电极电流能力(最大500mA)和良好的电压承受能力(最大150V),使得它在高功率和高压应用中表现突出。同时,它的工作温度范围宽广,从 -55°C 到 150°C,适合在恶劣环境下使用。

此晶体管在频率上也有良好的表现,最大跃迁频率为 300MHz,适用于高速开关应用和信号处理应用。由于其较低的 Vce 饱和压降(500mV),使得 MMBT5401LT1G 在低功耗电路中非常适用,能够有效降低功耗和热量发散。

三、应用场景

MMBT5401LT1G 可广泛应用于以下领域:

  1. 信号放大:用于音频放大器、RF 放大器等信号处理电路中。
  2. 线性调节器:在电源管理中,作为线性调节器的一部分,提供稳定的输出电压和电流。
  3. 开关电路:用于开关电路、继电器驱动器等,实现较高的效率和快速切换。
  4. 开关电源:在开关电源中充当开关元件,提供更高的电流与电压处理能力。
  5. 消费电子产品:广泛应用于各种消费电子产品的控制电路中,如电视机、电脑、家用电器等。

四、设计注意事项

在设计电路时,需要注意以下几点:

  • 热管理:虽然 MMBT5401LT1G 具有较高的工作温度上限,但在高负载环境下,仍需合理设计散热措施,避免过热。
  • 输入信号设定:根据不同应用情况,合理设计输入电流 Ib,以确保晶体管能够进入饱和状态或保持在所需的工作区间。
  • 电压保护:在高压应用中,设计者应考虑充分的电压保护措施,避免过电压对器件的损坏。
  • PCB 布局:采用适当的布局和走线方式,保持导线的短而宽,以减少电气噪声和信号的干扰。

五、总结

MMBT5401LT1G 是一款性能优异的 PNP 晶体管,具有广泛的应用前景和良好的电气特性。凭借其高集电极电流、宽工作温度范围以及较低的饱和压降,MMBT5401LT1G 能很好地满足现代电子设备对高效率和稳定性的要求,适合各种消费电子及工业应用,是设计师在选择合适元件时的优良选择。