功率(Pd) | 1.4W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 29pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 34mΩ@1.8V,5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.16nF@10V | 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
产品概述:SM3416SRL N沟道MOSFET
一、产品简介
SM3416SRL是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),具体参数为1.4W功率、20V的电压承受能力以及6.5A的最大漏电流。这款MOSFET采用SOT-23封装,具有紧凑的体积和优良的热性能,非常适合用于各种电子电路中。由美国源芯(SPS)设计与生产,SM3416SRL不仅满足了高功率应用的需求,同时也具备一定的耐用性和可靠性。
二、技术参数
这种组合特性使得SM3416SRL成为开关电路、功率放大器、直流电机驱动、电源管理模块等应用的理想选择,提供高效能转化。
三、应用场景
SM3416SRL的广泛应用场景包括但不限于:
开关电源:在DC-DC变换器和AC-DC适配器中,SM3416SRL通过快速开关特性,有效地提高了电源转换效率,减少了能量损耗。
电机控制:在步进电机、直流电机和伺服电机等驱动电路中,能够提供稳定的电压和电流控制,使得电机运转平稳。
LED驱动:SM3416SRL在LED驱动电路中能够提供高电流输出,满足高亮度LED的动态调节需求。
信号开关:在各种模拟和数字信号处理电路中,作为切换开关使用,提供快速开关能力。
电池管理系统:在锂电池充放电管理中,也能发挥重要作用,保证安全与高效的能量使用。
四、性能优势
高效率:由于SM3416SRL具有较低的导通电阻(RDS(on)),确保了开关时的能量损耗最低,从而提高了整体电路效率。
快速开关:该MOSFET能实现快速的开关特性,适合高频率的应用场景,减少了开关时间,提高了响应速度。
低热生成:即使在较高的电流条件下,SM3416SRL也能保持较低的工作温度,从而减少了对散热设计的需求,提高了设计的灵活性。
紧凑封装:SOT-23封装使得其在空间受限的应用中具有得天独厚的优势,为电子设备的小型化提供了支持。
五、选型注意事项
在选用SM3416SRL时,应特别注意以下几点:
工作条件:确保该元器件的工作电压和电流不会超过其额定值,以防止过热或损坏。
散热设计:虽然该MOSFET具有良好的热性能,但为提高稳定性,设计时仍需考虑适当的散热措施,尤其在高负载情况下。
环境适用性:了解应用环境(如温度、湿度等)对MOSFET性能的影响,确保可靠性。
六、总结
SM3416SRL N沟道MOSFET是一个出色的选择,适用于多种电子应用,具备高效能和可靠性的特性。其广泛应用于电源管理、电机控制及信号传输等领域,能够在严苛的环境中稳定运行。依靠其紧凑的SOT-23封装,设计师可以在不牺牲性能的情况下,实现更小型化的电子产品。对于寻求高效、可靠的MOSFET解决方案的工程师而言,SM3416SRL无疑是一个理想的选择。