MB85RC16VPNF-G-JNN1E1
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1参数
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | 存储容量 | 16Kb （2K x 8） |
| 技术 | FRAM（铁电体 RAM） | 存储器接口 | I²C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 存储器类型 | 非易失 |
| 访问时间 | 550ns | 电压 - 供电 | 3V ~ 5.5V |
| 存储器格式 | FRAM | 时钟频率 | 1MHz |
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1手册
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1概述
产品概述：MB85RC16VPNF-G-JNN1E1
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 是富士通（Fujitsu）制造的一款非易失性存储器，基于铁电体 RAM（FRAM）技术，具有出色的性能和可靠性，适用于各种嵌入式系统和工业应用。该产品的存储容量为16Kb，采用2K x 8位结构，能够为设计师提供灵活而高效的存储解决方案。
关键特性
工作温度范围: MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 的工作温度范围从 -40°C 到 85°C，能够在极端环境条件下正常工作，特别适合于汽车电子、工业控制以及其他高要求的应用场合。
存储容量与结构: 该存储器提供16Kb的存储容量，基于2K x 8位的阵列结构，使得其在数据存取时能够更科学、有效地管理信息存储。
非易失性存储: FRAM技术的应用保证了数据的持久性，即使在断电后，存储的数据也不会丢失。这种特性对于那些需要频繁写入和读取数据的应用尤为重要，例如数据记录和遥测系统。
读写速度: 其访问时间为550ns，支持高达1MHz的时钟频率，可以快速响应主设备的读写请求，确保系统的实时性和准确性。
电源电压范围: 适用的供电电压为3V至5.5V，使其能够在多种电压环境中稳定运行，增加了设计的灵活性。
存储接口: MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 采用I²C接口，便于与各种微控制器和处理器连接，简化了电路设计和系统集成。
封装形式: 该芯片采用8-SOP封装，具有良好的集成度与适应性，便于在紧凑的设计空间中使用。
应用场景
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1的特性使其适用于多种应用，包括但不限于：
- 汽车电子: 在汽车工业中，FRAM存储器可以用于行驶数据记录和实时状态监控，提供可靠的数据支持。
- 工业控制系统: FRAM的耐极端环境性能适合在各种工业自动化设备中使用，确保数据在严苛环境下的完整性和可靠性。
- 智能家居设备: 在智能传感器与控制器中，MB85RC16VPNF-G-JNN1E1可以用于存储配置信息和历史数据，以实现智能监测和管理。
- 医疗设备: 在医疗设备中，稳定的非易失性存储器能够保证重要数据的恢复，确保患者信息的线性和安全。
总结
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 是一款高性能、集成度高的FRAM存储器，具备低功耗、非易失性、快速读写等优点，适合需要高可靠性和实时性的应用。无论是自动化工厂、汽车电子还是个人电子设备，该存储器的多种功能和特性均能够满足不同市场的需求。选择MB85RC16VPNF-G-JNN1E1，将为您的项目提供强大的数据存储和访问能力，助力实现高效的设计和创新。